STP5NK80ZFP
STP5NK80ZFP参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 800V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 2.15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 910pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220FP |
STP5NK80ZFP手册
STP5NK80ZFP概述
STP5NK80ZFP 产品概述
STP5NK80ZFP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其在功率电子和高电压应用中表现优异。该器件采用 TO-220FP 封装，具有良好的散热能力，适合需高功率散热的应用场合。其关键参数使其成为电源管理、开关电源和电机控制等领域的理想选择。
主要特性
高漏源极电压（Vdss）： STP5NK80ZFP 的额定漏源极电压为 800V，使其可以在高电压环境下安全稳定地工作。这一特性使其在高压直流转换器和逆变器等应用中得到了广泛的使用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 4.3A（在晶体管接壳温度 Tc 为 25°C 时）。这使其能够满足许多中等功率应用的需求。
低导通电阻（Rds(on)）： 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 2.15A 时，导通电阻的最大值为 2.4Ω，这一低导通电阻有效地降低了功耗和发热，提升了整体效率。
高栅源电压（Vgss）： 该器件的栅源电压范围为 ±30V，提供了灵活的驱动设置，实现更高的开关频率和更快的开关速度。
低栅极电荷（Qg）： 在 Vgs 为 10V 的条件下，栅极电荷的最大值为 45.5nC，这表示驱动电路的要求较低，适合高频开关应用。
高功率耗散能力： 该器件的最大功率耗散能力为 30W（在 Tc 限定的条件下），能够支持长时间的高功率操作。
宽工作温度范围: STP5NK80ZFP 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内工作，确保其在恶劣环境下的可靠性。
应用场合
STP5NK80ZFP 的高电压、低导通电阻和高功率耗散能力使其非常适合于以下应用：
开关电源: 在开关电源设计中，该 MOSFET 可用于提升整体能效，减少热量和功耗。
电机驱动: 在电机控制电路中，由于其快速的开关特性和高电流承载能力，STP5NK80ZFP 是驱动直流和步进电机的理想选择。
高压直流-直流转换器: 特别是在需要将高电压直流转换为较低电压直流时，STP5NK80ZFP 的高电压和高电流特性尤为重要。
逆变器: 在可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能转化系统）中，STP5NK80ZFP 可以高效地转换电能，确保系统的稳定性和效率。
小结
作为一款具有高性能特征的 N 沟道 MOSFET，STP5NK80ZFP 不仅在技术参数上满足了现代电力电子设备的要求，同时在多种应用场合展现了其卓越的适用性和可靠性。凭借其高漏源电压、低导通电阻和出色的功率处理能力，这款 MOSFET 妥妥成为设计工程师在追求高效能和高可靠性产品时的重要选择。无论是在工业自动化、可再生能源还是消费电子产品的电源管理中，STP5NK80ZFP 都展示了其强大的优势。