STP5NK50Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.74g
描述 :
场效应管(MOSFET) 70W 500V 4.4A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.87按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.87
--
100+
￥5.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP5NK50Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.4A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 2.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 535pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP5NK50Z手册
STP5NK50Z概述
STP5NK50Z 产品概述
一、产品简介
STP5NK50Z 是一种高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其工作电压高达 500V，额定电流为 4.4A，最高功率耗散能力为 70W，具备优异的导通特性，适合各类电子应用。它采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能和易于安装的特点。该器件特别适合用于高电压、高功率的开关电路、反向器以及电源转换器等领域。
二、主要特性
- 漏源电压 (Vdss): 最大可承受电压 500V，能够满足许多高压应用的需求。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下为 4.4A，这使其在典型的工作条件下表现出良好的导通能力。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 典型值为 4.5V（在 50µA 电流下），说明器件具备相对较低的开启电压，可以降低驱动电路的复杂性。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅源电压、2.2A 的漏极电流下，导通电阻最大为 1.5Ω，确保器件在工作时高效低损耗。
- 最大功率耗散: 在 25°C 条件下，器件能够承受高达 70W 的功率，适用于高负载应用。
- 工作温度范围: 器件能够在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛环境下的应用。
- 输入电容 (Ciss): 在 25V 时测得输入电容最大为 535pF，说明其高频响应良好。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 下，栅极电荷最大为 28nC，这对高频开关应用尤其重要。
三、封装与安装
STP5NK50Z 器件采用 TO-220AB 封装，具备良好的机械强度和散热特性，使其在高功率应用中能够有效地散热，降低温度上升风险，延长使用寿命。此外，该封装设计便于通过通孔方式进行安装，适合手工焊接或自动化生产。
四、应用领域
STP5NK50Z 的高电压和高电流特性使其广泛适用于以下领域：
- 开关电源: 在 DC-DC 转换器、交流-直流 (AC-DC) 适配器等设备中用作开关元件。
- 电机驱动: 用于直流电机驱动、步进电机控制等场合，提供高效的电流开关。
- 逆变器: 应用于太阳能逆变器、UPS 系统等中，以实现高效能量转换。
- 电源管理: 在各种电子设备的电源管理电路中，提高效率并降低散热。
五、总结
作为一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，STP5NK50Z 凭借其卓越的性能参数和宽广的应用范围，成为了电子设计工程师和开发人员的理想选择。它不仅具有较高的耐压能力和负载能力，还具备良好的开关性能，帮助用户在不同应用中实现高效能量管理与控制。在未来的电子应用中，STP5NK50Z 将继续发挥其重要的角色，为高效能、低功耗的理想产品提供支持。