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STP33N60M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.887g
描述 :
场效应管(MOSFET) 190W 600V 26A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
15.14按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥15.14
--
100+
￥13.51
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP33N60M2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 26A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 125mΩ @ 13A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 190W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 13A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1781pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP33N60M2手册
STP33N60M2概述
STP33N60M2 产品概述
STP33N60M2 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要应用于高压和高电流的电力电子设备。其卓越的电气特性和坚固的封装使其成为电源管理、开关电源、逆变器及其他要求高效能和可靠性的应用中的理想选择。
关键特性
电气特性
- 漏源电压（Vdss）: STP33N60M2具有高达600V的漏源电压，使其适用于高压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C时，场效应管的连续漏极电流为26A（当散热器温度Tc为25°C时），提供了足够的输出能力以应对大多数工业应用。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅源电压下，STP33N60M2的导通电阻为125mΩ（在13A时），这有助于降低功耗，提升能效。
阈值电压和栅源电压
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的漏电流条件下，其栅源阈值电压为4V，这意味着在相对较低的驱动电压下就可以使开关管导通。
- 栅极驱动电压: 最小和最大栅源驱动电压为10V，能够保证MOSFET在期望的导通状态下运行。
散热能力
- 功率耗散: 该元器件在25°C的环境温度下具备最高190W的功率耗散能力（在Tc条件下），这说明其能够在较高负荷下运行而不至于过热。
- 工作温度范围: 该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，这使其能够在极端环境条件下正常工作，适应各种应用场景。
封装与结构
- 安装类型: STP33N60M2采用通孔封装，封装类型为TO-220-3。这种封装设计不仅便于安装，还增强了散热性，有助于在高负载情况下降低器件温度。
应用场景
STP33N60M2广泛应用于各种电力电子设备中，包括：
- 开关电源: 其高效能和低导通电阻特性使其非常适合用于AC-DC电源转换器及DC-DC变换器。
- 逆变器: 在光伏发电、风能转换中，MOSFET的高频开关能力确保了能量的有效转换。
- 电动汽车: 该MOSFET的高耐压和长寿命特性使其适用于电动汽车的动力转换系统中。
- 电机驱动: 适用于各类电机控制应用，如伺服电机和步进电机驱动器等。
总结
STP33N60M2以其优越的电气特性、良好的散热能力和耐用的封装结构，成为高压大功率应用领域的重要选择。意法半导体根据市场需求，不断优化其产品性能，使STP33N60M2能够在激烈的市场竞争中脱颖而出。无论是工业设备、开关电源还是电动交通工具，STP33N60M2都能够为客户提供可靠的解决方案，确保系统的高效运行及安全稳定。