STP30NF10
STP30NF10参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45Ω @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 115W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1180pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 115W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP30NF10手册
STP30NF10概述
STP30NF10 产品概述
STP30NF10 是一种高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。作为一款广泛应用于高电压和高电流的电子设备中的功率开关器件，STP30NF10 具有很强的性能优势，尤其是在节能和高效能转换方面。
主要规格
漏源电压 (Vdss): STP30NF10 的漏源电压最大达到 100V，确保其在高压应用中的稳定性和可靠性。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境下，该 MOSFET 可以安全承载高达 35A 的连续漏极电流，这使得它能够在多个高电流应用中表现出色。
导通电阻 (Rds(on)): STP30NF10 的漏源导通电阻在 10V 的栅源驱动电压下为 45 毫欧，这种较低的导通电阻有助于在工作条件下降低功耗，提升效率。
栅源阈值电压 (Vgs(th)): 此器件的栅源阈值电压为 4V @ 250µA，适用于需要较低驱动电压的电路设计。
最大功率耗散: STP30NF10 能够承受最大功率耗散为 115W（在 Tc=25°C 时），这使得它适合在高功率环境中操作。
工作温度范围: 该器件设计能够在极端温度条件下运行，工作温度范围为 -55°C 到 175°C，确保其在各种环境条件下具有优良的稳定性和可靠性。
封装及安装
STP30NF10 的封装类型为 TO-220AB，这是一种通孔设备，便于散热和安装。TO-220 封装具有良好的热管理性能，使得该器件能够在高功率电路中有效散热，降低工作温度，从而延长其使用寿命。
应用场景
STP30NF10 被广泛应用于各种电子产品和系统，尤其适合以下应用场景：
开关电源: 在开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器等设备中，STP30NF10 可以作为高效开关元件，通过控制电源的开关状态实现能量的高效转换。
电动机驱动: 此 MOSFET 适用于直流电机或步进电机的驱动，使之在不同的负载条件下能够稳定运行。
外部设备控制: STP30NF10 也常用于各种继电器和负载开关电路的控制，通过较小的驱动信号控制较大的负载电流。
电源管理: 在移动和便携设备中，STP30NF10 可用于电池管理系统，确保电池的高效充放电。
性能优势
STMicroelectronics 的 STP30NF10 MOSFET 不仅易于集成于现有电路架构中，同时其低功耗和高效率的特性使其成为了节能技术的重要组成部分。此外，其兼容性和适应性使得设计工程师能够在多种应用中利用此器件，带来更高的系统表现。
对于追求高性能、高可靠性和高效能产品的设计师而言，STP30NF10 是一个理想的选择。无论是在家用电器、工业设备或是消费电子产品中，STP30NF10 都将为用户提供卓越的性能和可靠的服务。其设计理念围绕功率电子设备的不断进步，致力于推动电能转换和管理技术的未来。