STP25NM60ND
STP25NM60ND参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±25V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP25NM60ND手册
STP25NM60ND概述
STP25NM60ND 产品概述
STP25NM60ND 是一款高性能 N 通道功率 MOSFET，具有较高的漏源电压和电流液引能力，适用于多种高压、高频和通用的开关应用。该器件采用 TO-220 封装，提供优良的散热性能和易于安装的设计。因此，STP25NM60ND 广泛应用于电源管理、逆变器、马达驱动器以及其他要求高效率和高可靠性的电路中。
基本参数
- 封装/外壳: TO-220-3
- FET 类型: N 通道
- 漏源极电压（Vdss）: 600V
- 栅源电压（Vgss）: ±25V
- 安装类型: 通孔 (THT)
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc）
- 最大 Rds On: 160 毫欧 @ 10.5A，10V
- Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）: 80nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400pF @ 50V
- 功率耗散（最大值）: 160W（Tc）
- 工作温度: 150°C（TJ）
设计与性能
STP25NM60ND 兼具高效率和出色的热性能，这得益于其较低的导通电阻 (Rds On)，显著减小了功耗并提高了工效。MOSFET 的导通电阻可达 160 毫欧，适合在高电流条件下工作，使其在电源开关电路中表现出色。
在栅极驱动方面，STP25NM60ND 需要的驱动电压通常为 10V，这对于许多标准的驱动电路来说是非常友好的。此外，该器件的栅极电荷 (Qg) 值为 80nC，表明其在开关过程中所需的驱动能量相对较低，从而有助于提高电路的整体效率。
由于其高达 600V 的漏源电压，STP25NM60ND 特别适合用于涉及高电压环境的应用，如电源模块、LED 驱动器、UPS 系统（不间断电源系统）以及太阳能逆变器等领域。器件的最大功率耗散能力为 160W，可在相对较高的温度下稳定工作，这使得它成为设计工程师在追求高压力和高可靠性时的理想选择。
应用场景
STP25NM60ND 的应用场景非常广泛。具体包括：
电源管理:
- 用于开关电源（Switching Power Supply）中，实现高效能量转换和稳定输出。
- 在高频开关电路中减少损耗，提高整体效率。
马达驱动:
- 在电动机控制领域，尤其是无刷直流电动机（BLDC Motor）驱动应用中，STP25NM60ND 以其快速开关特性和高电流能力，实现高效运行。
逆变器:
- 用于太阳能和风能逆变器，能够高效处理来自可再生能源的高电压直流（DC）信号，转化为交流（AC）电力。
LED 驱动:
- 在大功率 LED 驱动电路中实现高效能量控制，保证 LED 的长寿命和稳定工作。
工业控制:
- 在各种自动化系统中，担当高效开关的角色，控制工业设备的启动和运行，提升生产效率。
结论
作为一款 N 通道功率 MOSFET，STP25NM60ND 在高电压、大电流复杂应用中展现出非凡的性能。其高效的散热能力、卓越的开关特性及较低的功耗，使其成为设计工程师在功率应用领域必不可少的选择。无论是在电源管理、马达驱动还是逆变器等应用中，STP25NM60ND 都能显著提升系统的效率和稳定性，是现代电子设计中值得信赖的解决方案。