STP22NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 600V 16A 1个N沟道 TO-220-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.63按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.63
--
100+
￥5.31
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP22NM60N参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP22NM60N手册
STP22NM60N概述
STP22NM60N 产品概述
产品简介
STP22NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它以其优异的导电性能和高可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中。该器件采用TO-220-3封装，具有良好的散热性能，适用于高电压和中等电流的应用，主要用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动及其他功率转换电路。
基本参数
- 封装类型: TO-220-3
- FET类型: N沟道
- 漏源极电压（Vdss）: 600V
- 栅源电压（Vgss）: ±30V
- 连续漏极电流（Id, Tc = 25°C）: 16A
- 最大功率耗散: 125W（Tc）
- 导通电阻（Rds(on)）: 在10V栅极驱动的情况下，最大值为220毫欧（在8A条件下测得）
- 阈值电压（Vgs(th) 最大值）: 4V（在100µA下）
- 栅极电荷（Qg 最大值）: 44nC（在10V条件下）
- 输入电容（Ciss 最大值）: 1300pF（在50V条件下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
性能特点
STP22NM60N的主要特点在于其高漏源极电压和较高的工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定工作。同时，该器件的高导电效率使得其在高频开关应用中表现优越。较低的导通电阻有助于减少在工作时的功耗，提升设备的整体效率，降低发热量。
应用领域
STP22NM60N广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高耐压、低Rds(on)特性，它适合用于开关模式电源（SMPS），能够有效地转换和调节电压。
- 电动机驱动: 在马达驱动电路中，该MOSFET能够有效地控制电动机的启动、停转以及速度调节。
- DC-DC转换器: STP22NM60N能够在DC-DC变换器中提供高效率的能量转换，是设计高效能电源的理想选择。
- 电源管理模块: 在各种电子设备中，该MOSFET被用于电源管理功能，例如负载开关和过流保护电路。
安装与使用
STP22NM60N属于通孔安装（THT）类型，便于在各种电路板上实现集成。其TO-220封装设计优越，能通过散热片实现良好的散热能力，适合高功率电路应用。在实际应用中，为确保器件的可靠性，用户应根据实际工作条件合理配置散热措施，且需要注意控制栅源电压，以避免过电压可能带来的损坏。
结论
STP22NM60N是一款功能全面、性能卓越的高压N沟道MOSFET，凭借其出色的技术参数和广阔的应用前景，适用于各种行业的电力控制及转换需求。无论是在电源管理，还是在驱动高功率马达和开关电源等领域，STP22NM60N都提供了可靠的解决方案，是工程师在设计电气系统时值得信赖的选择。