注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STP18NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 600V 13A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.18按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.18
--
100+
￥5.74
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP18NM60N参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±25V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 285 毫欧 @ 6.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP18NM60N手册
STP18NM60N概述
STP18NM60N 产品概述
1. 产品简介
STP18NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，具有600V的漏源电压（Vds）和13A的连续漏极电流（Id），采用TO-220-3封装，适用于高压应用。该器件以其卓越的电气性能而受到青睐，常被用于电源转换、开关模式电源（SMPS）、电机驱动和其他高功率应用中。
2. 主要特性
- 工作电压：STP18NM60N具有高达600V的漏源电压，使其适用于高压环境。
- 连续漏极电流：在25°C时，器件的最大连续漏极电流为13A，这意味着它可以在高功率应用中稳定工作。
- 导通电阻：器件在6.5A和10V的条件下，最大导通电阻为285毫欧，有效降低了功耗并提高了电路效率。
- 栅极电压：STP18NM60N的栅源电压（Vgs）最大可达±25V，适配多种驱动电压并确保良好的控制。
- 输入电容：在50V时，其输入电容（Ciss）最大为1000pF，保障了快速开关与高频操作的能力。
- 驱动电压：在驱动应用中，10V为其最佳驱动电压，使得在Rds On的表现最优。
- 温度特性：STP18NM60N具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，适应多种工作环境。
3. 应用场景
由于其强大的电气特性，STP18NM60N广泛应用于多个领域：
- 开关电源：用于AC-DC和DC-DC转换器，能够有效转换电能，提升能效。
- 电机控制：在电动机驱动的应用中提供可靠的开关操作，适用于伺服电机和步进电机驱动。
- 电力电子设备：在逆变器和整流器中起到关键作用，能够承受高压和高电流环境。
- 家电产品：在洗衣机、冰箱和空调等家电中，发挥着电源管理和驱动控制等功能。
4. 性能参数细节
- 漏源极电压（Vdss）：600V，适合高压应用。
- 栅源电压：±25V，确保器件的可靠性和稳定性。
- 功耗：最大功率耗散为110W（Tc），适合高功率场合。
- 栅极电荷（Qg）：在10V时最大为35nC，表明该器件的开关速度快，能够有效减少开关损耗。
5. 结论
STP18NM60N凭借其出色的性能指标和可靠的工作特性，成为现代电源和功率控制应用中不可或缺的组件。无论是在高压电源供应、工业自动化还是家电产品中，STP18NM60N都表现出了卓越的适用性和持续性能。在选择高功率MOSFET时，STP18NM60N无疑是一个理想的选择，为多个应用领域提供了稳定、高效的解决方案。