STFW4N150
STFW4N150参数
| 漏源电压（Vdss） | 1500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 63W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | ISOWATT-218FX | 封装/外壳 | ISOWATT218FX |
STFW4N150手册
STFW4N150概述
产品概述：STFW4N150 MOSFET
STFW4N150 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），旨在满足现代电力电子应用中对高电压和高功率的需求。该产品的设计目标是提高能效和系统可靠性，广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等多个领域。
关键特性
高漏源电压（Vdss）: STFW4N150 的漏源电压额定值高达 1500V，使其能够在高压环境下可靠工作，适用于高压直流电源和工业用途。
连续漏极电流（Id）: 本器件在 25°C 的环境条件下能够持续承载 4A 的漏极电流（Id），为各种电流负载提供稳定的操作性能。
导通电阻（Rds(on)）: 当漏极电流达到 2A，栅极驱动电压为 10V 时，导通电阻为 7Ω。这一特性在降低开关损耗和提高效率方面发挥着重要作用，尤其在高频开关应用中。
额定功率耗散: STFW4N150 的最大功率耗散为 63W（在体温 Tc 为 25°C 时），这使得其在高功率场合中表现出良好的热管理能力和效率。
宽栅源电压范围: 最大栅源电压可达到 ±30V，为设计提供了灵活性。栅源极的阈值电压为 5V @ 250µA，确保了器件能够在较低的门电压下有效导通，简化了驱动电路的设计。
优秀的电容特性: 输入电容(Ciss) 在 25V 时的值为 1300pF，保证了在高频操作时候的稳定性和响应速度。这一特性使得 STFW4N150 在高频转换应用中具有广阔的应用潜力。
工作温度范围: 器件的工作温度高达 150°C (TJ)，适应了更为严苛的工作环境，确保在极端条件下的可靠性。
封装类型: STFW4N150 采用 ISOWATT-218FX 封装，这种通孔安装设计能够有效提高散热性能，适合板级应用。
应用场景
STFW4N150 适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
- 开关电源: 用于高压、高功率的转换系统，提高能量转换效率的关键器件。
- 逆变器应用: 由于其高电压承受能力，适合用在太阳能逆变器、电动汽车和其他可再生能源系统中。
- 电机驱动: 其高功率耗散特性使得 STFW4N150 可以作为电机控制和驱动系统的核心组成部分。
- 高频开关负载: 由于其优秀的导通阻抗和电容特性，适合在高频操作条件下工作。
总结
STFW4N150 MOSFET 是一款适应现代电力电子需求的高性能器件，以其高漏源电压、高功率耗散能力、较低的导通电阻及优秀的热管理性能，极大地丰富了用户的设计空间。在未来的电子产品中，STFW4N150 将继续凭借其卓越的性能和可靠性，满足不断变化的市场需求，是电力电子行业中不可或缺的核心元件之一。