STF33N60M2
STF33N60M2参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±25V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 13A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1781pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220FP |
STF33N60M2手册
STF33N60M2概述
STF33N60M2 产品概述
一、基本信息
STF33N60M2 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。它采用 TO-220-3 外壳封装，专为需要高电压和高电流处理能力的应用而设计，适合在各种工业和消费电子设备中使用。其主要参数包括漏源极电压（Vdss）高达 600V，连续漏极电流（Id）达 26A，功率耗散能力达到 35W，广泛应用于逆变器、电源管理、马达驱动和其他高性能电子应用。
二、关键参数
漏源极电压（Vdss）: 该器件的最大漏源极电压为 600V，使其能够在高电压环境下稳定运行，非常适合需要耐压能力的应用场景。
连续漏极电流（Id）: 最高 26A 的连续漏极电流适合于高功率应用，确保在负载条件下能够提供可靠的性能。
功率耗散: 最大功率耗散为 35W，体现了该 MOSFET 在高负载条件下的散热能力。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 125 毫欧，这一低阻值有助于提高电路效率，减少额外的功率损耗。
栅极电压（Vgss）: 该 MOSFET 的最大栅源电压为 ±25V，能适应多种驱动电压配置，提高了电路设计的灵活性。
温度范围: 工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适合在极端环境下工作。
栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）: 在 10V 驱动下，栅极电荷最大为 45.5nC，而输入电容 Ciss 在 100V 下为 1781pF，这些参数表明了该器件在开关速度和效率方面具有良好的表现。
三、应用领域
STF33N60M2 作为一款高压高流 MOSFET，具有广泛的应用潜力，包括但不限于：
电源管理: 在开关电源（SMPS）和反激式电源等应用中，能够有效地整流和开关，实现高效能的电源转换。
逆变器: 在光伏逆变器和风能逆变器中，STS33N60M2 的高电压和高电流能力使其成为理想的选择。
马达驱动: 可用于驱动各种类型的电动机，确保设备在启动和运行阶段的平稳性和效率。
电力转换: 在消费类电子产品及其他电力电子设备中，能够实现高效的电能转换，尤其是在需要高频开关操作的场合。
四、总结
STF33N60M2 是一款集高电压、高电流、低导通电阻于一体的高性能 N 通道 MOSFET，它在高功率应用中表现优异，适用于多个领域，特别是在电源管理和高效能电力转换方面。其优异的工作温度和可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一，广泛应用于工业、汽车和消费电子领域。选择 STF33N60M2，不仅可以提高产品的性能，还能增加设计的灵活性和可靠性。