STF13N60M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.48g
描述 :
场效应管(MOSFET) 25W 600V 11A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
606(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.28按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.28
--
50+
￥2.52
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF13N60M2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 380mΩ @ 5.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 580pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF13N60M2手册
STF13N60M2概述
STF13N60M2 产品概述
概述
STF13N60M2 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道功率MOSFET，具有杰出的电气特性和广泛的应用潜力。凭借其额定漏源电压（Vdss）为 600V、连续泄漏电流（Id）为 11A 以及较低的漏源导通电阻（Rds(on)）为 380 mΩ，这款 MOSFET 在许多高功率和高电压电子电路中表现优异，尤其适合开关电源、马达驱动、电源管理等领域。
主要特点
- 高电压和电流能力: STF13N60M2 具备 600V 的额定漏源电压，适用于高电压领域。
- 低导通电阻: 在 10V 的栅源电压下，导通电阻最高仅为 380mΩ（在 5.5A 条件下），有效降低开关损耗和热损耗。
- 优良的栅极驱动特性: 栅极源极阈值电压（Vgs(th)）为 4V（@ 250uA），意味着在较低的驱动电压下，即可实现有效的开关控制。最大栅源电压（Vgs）可达到 ±25V，为设计提供了灵活性。
- 散热能力强: 最大功率耗散为 25W（在 Tc=25°C 下），可以有效支持高负载条件下的可靠运行。同时，该器件工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适合各种环境下的应用。
- 紧凑封装: TO-220FP 封装有助于有效的热管理，便于散热，同时便于在电子设备中实现高密度布局。
应用场合
STF13N60M2 基于其优秀的电气性能，适合以下应用场合：
- 开关电源（SMPS）: 该MOSFET可以在开关电源中用作主开关器件，以实现高效率能量转换。
- 电机控制: 对于马达驱动，STF13N60M2 可以作为驱动开关，支持高电压和电流需求的无刷和有刷电机。
- 电源管理: 在各种电源管理电路中，它可用作开关、逆变器或调节器。
- 灯光控制: 适用于 LED 驱动和光源调节系统中，以实现高效照明解决方案。
性能与可靠性
STF13N60M2 的设计考虑了性能与可靠性之间的平衡。其低导通电阻和高电压电流额定值使其在高温和高负载条件下运行更加稳定。而宽广的工作温度范围使其可以在各种严酷环境下应用，确保其长期的性能保持。
结语
综上所述，STF13N60M2 是一款高度可靠的 N 沟道MOSFET，适合各种高压和高功率应用。它的低导通电阻、高电压能力/电流能力、良好的热管理特性以及宽广的工作温度范围使其成为许多电子设计工程师的理想选择。不论是在工业、消费电子，还是汽车电子等领域，STF13N60M2 都能发挥出色的性能，为设计者提供强有力的支持和保障。在进行电气设计和选择合适的功率半导体器件时，STF13N60M2 定会成为一个值得信赖的伙伴。