STD7NM80
STD7NM80参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.05Ω @ 3.25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 90W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 欧姆 @ 3.25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD7NM80手册
STD7NM80概述
产品概述：STD7NM80 N 通道 MOSFET
一、产品简介
STD7NM80 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件适用于要求高电压和高电流承载能力的应用，其具有优良的导通性能和低导通损耗。STD7NM80 主要应用于开关电源、逆变器、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他高能效电路。
二、基本参数
STD7NM80 具备额定漏源电压（Vdss）800V 和连续漏极电流（Id）6.5A（在 25°C 时，Tc 条件下）。这种高电压和高电流规格使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。
- 漏源电压（Vdss）: 800V
- 连续漏极电流（Id）: 6.5A @ 25°C(Tc)
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
- 导通电阻（Rds(on)）: 1.05Ω @ 3.25A，10V
- 最大功率耗散: 90W @ Ta=25°C
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: DPAK (TO-252-3)
三、性能特点
低导通电阻: STD7NM80 的最大导通电阻为 1.05Ω，当电流为 3.25A 且栅源电压为 10V 时，低 Rds(on) 使得在工作时产生的热量减少，这对提升能效非常重要。
高额定电流和电压: 器件能够承受高达 800V 的电压和 6.5A 的电流，使其非常适合用于高压和高功率的电源应用。
宽工作温度范围: 宽温度范围（-55°C 至 150°C）使其在极端环境下也能稳定工作，适合各种严苛的工业应用。
表面贴装型封装: 使用 DPAK 封装设计，使得安装和散热性能得到优化，适用于现代表面贴装生产工艺。
低栅极电荷: 在栅源电压为 10V 时，栅极电荷（Qg）最大为 18nC，表明该器件在开关频率达到高效率时，驱动要求较低。
四、应用领域
STD7NM80 适用于多种电子设备和系统中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）: 在现代开关电源中，经常需要高效的 MOSFET 以实现高效率和低损耗。
- DC-DC 转换器: 可用于对电压进行升降转换的系统，要求 MOSFET 的快速开关特性。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和电动车逆变器中，MOSFET 被广泛应用于将直流电转换为交流电。
- 电机驱动: 在各类电机驱动器中，MOSFET 用作开关以控制电机的启停和方向。
- LED 驱动电路: 高效驱动大功率 LED 的场合。
五、总结
STD7NM80 是一款广泛应用于高性能及高电压应用场合的 N 通道 MOSFET. 通过其低导通电阻、高额定电压和电流、以及较宽的工作温度范围，使其在电源管理、逆变、电机控制等领域具有极好的适用性。意法半导体凭借其出色的产品质量和技术支持，使这一产品在市场中取得了许多成功应用，成为工程师们设计高效能电路的首选器件之一。