STD5NK60ZT4
STD5NK60ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 90W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD5NK60ZT4手册
STD5NK60ZT4概述
产品概述：STD5NK60ZT4 N沟道MOSFET
一、基本信息
STD5NK60ZT4是一款高性能阴极为N型的MOSFET（场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件的设计用于高压和高效率的开关电源、逆变器、电动机驱动等应用，具备良好的热稳定性和高效的电源管理能力。
二、主要特性
高压承受能力：漏源电压（Vdss）为600V，使得该MOSFET适用于高电压应用。它能够承受的高电压使其在电力电子、电源转换和其他需要高压的场合表现出色。
良好的电流承载能力：在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达5A（在规定的控制环境下，Tc），即使在较高工作温度下，仍可保持良好的性能，这使其能够满足多种应用中的动态性能需求。
导通电阻较低：漏源导通电阻（Rds(on)）在2.5A和10V驱动电压时为1.6Ω，保证了在开启状态下的功耗降低，提升了整机的效率，并减少了散热需求。
栅源电压阈值：具备栅源极阈值电压为4.5V @ 50µA，能够保证在合理的栅驱电压下便可以导通，为电路设计提供了灵活性。
高功率处理能力：最大功率耗散为90W（在Tc条件下），这一特性使其能够在高功率应用中稳定运行。
宽广工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，确保在恶劣环境下的可靠性，使其适合在多种工业及汽车应用中使用。
三、器件规格
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 5A (Tc)
- 栅源极阈值电压: 4.5V @ 50µA
- 导通电阻: 1.6Ω @ 2.5A, 10V
- 最大功率耗散: 90W (Ta=25°C)
- 驱动电压: 10V
- 栅极电荷 (Qg): 34nC @ 10V
- 输入电容: 690pF @ 25V
- Vgs（最大值）: ±30V
- 封装类型: DPAK (TO-252-3)
- 工作温度: -55°C ~ 150°C
四、应用领域
STD5NK60ZT4广泛用于以下应用：
- 电源管理：在高效开关电源和DC-DC转换器中，用于提高能量转换效率。
- 电动机控制：适合于各种电动机驱动系统，包括电动工具、家用电器及工业自动化。
- 逆变器：广泛应用于太阳能逆变器、UPS系统等需要将直流电转换为交流电的场合。
- 汽车应用：由于其高温暴露能力，此器件也适合在汽车电气系统中使用。
五、封装说明
STD5NK60ZT4采用DPAK封装，这种表面贴装型封装不仅具有良好的散热性能，还节省了电路板空间，提升了整体设计的紧凑性。DPAK封装通常用于要求高功率和高热性能的应用场合。
六、结论
STD5NK60ZT4是一款性能优异、可靠性高的N沟道MOSFET，适用于各种高压和高效能的电源管理应用。其高失败电压、低导通电阻和宽温工作范围使其成为电力电子设计中的理想选择。无论是用于电动机控制、开关电源，还是在电动汽车领域，STD5NK60ZT4都能显著提升系统效率与稳定性，是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。