STD12NF06LT4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.46g
描述 :
场效应管(MOSFET) 42.8W 60V 12A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.47按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.47
--
100+
￥2.88
--
1250+
￥2.62
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2500+
￥2.43
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD12NF06LT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 100mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 42.8W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 42.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD12NF06LT4手册
STD12NF06LT4概述
STD12NF06LT4 产品概述
产品简介
STD12NF06LT4 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。其主要用于高效电源管理、高频开关和各种电子应用中。该 MOSFET 采用 DPAK 贴片封装，具备优良的热性能和电气特性，能在宽广的温度范围内稳定工作。
关键特性
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）： 60V，适合高电压供电系统。
- 连续漏极电流（Id）： 12A（在 25°C 条件下），能够支持高功率负载。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 在 6A 电流和 10V 栅源电压下，最大导通电阻为 100 mΩ，确保较小的功耗和发热。
技术参数：
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 2V @ 250µA，意味着在较低的驱动电压下开通，使其在低电压应用中表现优异。
- 驱动电压范围： 最大 Rds(on) 的驱动电压为 5V，最小 Rds(on) 的驱动电压为 10V，适合多种驱动电路。
- 栅极电荷（Qg）： 10nC @ 5V，反映了启动和关闭时的驱动需求，降低了驱动电路的负担。
热特性：
- 最大功率耗散： 42.8W（在冷却条件下），适合多数工业和消费电子设备。
- 工作温度范围： -55°C ~ 175°C，保证在极端环境条件下依然能够稳定工作。
封装和安装：
- 封装类型： DPAK，具备优雅的尺寸，方便表面贴装。
- 封装/外壳标准： TO-252-3，提供良好的热传导特性，增强模块的可靠性。
- 供应商器件封装： 经过专门设计以适应自家集成电路和电源模块的需求。
应用领域
STD12NF06LT4 MOSFET 在电力电子、开关电源、LED 驱动、高速开关、数据中心和通信基础设施等多个领域都有广泛应用。其高压和高电流特性使得它适用于需要高效率和高可靠性的电源管理解决方案。此 MOSFET 也非常适合电动汽车、电池管理系统及其它需进行快速转换的应用场景。
总结
STD12NF06LT4 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET，设计用于高电压和高电流应用，凭借其优异的电气特性和适应性，成为现代电子设备不可或缺的组件。无论是在电源管理还是在功率转换方面，它都能提供出色的性能支持，为工程师和设计师的创新提供助力。选择 STD12NF06LT4，无疑是为您的系统增添高效能和可靠性的明智之举。