STB35NF10T4

产品概述：STB35NF10T4

基本信息

STB35NF10T4是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有强大的电流承载能力和耐压特性，非常适用于各种电源管理和开关应用。其封装类型为D2PAK，具备出色的热性能和可靠性，专为表面贴装设计而成。

关键参数

1. 封装与外壳: STB35NF10T4采用TO-263-3和D²Pak封装，具有2引线加接片设计。这种封装提供了良好的散热能力，并且适合高密度电路板的表面贴装。

2. 电压和电流特性:

   • 漏源极电压（Vdss）: 该器件最大漏源电压为100V，适用于多种高压应用。
   • 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，STB35NF10T4能够承受最大40A的漏极电流，适用于高功率电路设计。
   • 功率耗散: 最大功率耗散为115W，可在较高的工作温度下有效管理热量。

3. 导通电阻: 在10V的栅源电压下，该器件的最大导通电阻（Rds On）为35毫欧（@ 17.5A），确保了在开启状态下有最低的功耗，从而提高了整体效率。

4. 栅极驱动特性:

   • 栅源电压（Vgs）: 可承受的栅源电压最大值为±20V，为驱动电路提供了足够的灵活性。
   • 栅极电荷（Qg）: 在10V时，栅极电荷的最大值为55nC，这一特性使得驱动电路易于设计，降低了开关损耗。

5. 输入电容: 最大输入电容（Ciss）为1550pF（@ 25V），这使得器件能够快速响应于输入信号，提高了开关速度和性能。

6. 工作温度范围: STB35NF10T4具有宽广的工作温度范围，从-55°C到175°C 所以它适合在苛刻环境中的应用。

应用场景

STB35NF10T4因其优异的性能和特性，被广泛应用于众多领域，包括但不限于：

• DC-DC转换器: 具有高效能的MOSFET可以提升转换器的整体效率，降低能耗。
• 电源管理: 在电源供应系统中，MOSFET作为开关元件是至关重要的，可以有效控制电流流动。
• 电动汽车: 在对电机控制和充电系统的应用中，能够有效管理高电流和电压条件。
• 低电压高功率应用: 比如LED驱动电源及其他消费类电子产品中。

总结

STB35NF10T4是一款集合高性能、高效率和优良散热特性的N沟道MOSFET，适合于多种复杂的电路设计，其高电流承载能力和耐压特性使其在电源管理、DC-DC转换器及电动汽车等众多应用中独树一帜。其优质的生产工艺以及宽广的工作温度范围，保证了在极端环境下的可靠性，是工程师在选择高效开关元件时的理想选择。通过合理的设计和应用，可以充分发挥STB35NF10T4的潜能，为电子设备的性能提升提供基础保障。