SQD50N10-8M9L_GE3
SQD50N10-8M9L_GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2950pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 功率耗散（最大值） | 136W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
SQD50N10-8M9L_GE3手册
SQD50N10-8M9L_GE3概述
产品概述：SQD50N10-8M9L_GE3
SQD50N10-8M9L_GE3是一款由知名品牌VISHAY（威世）推出的高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该MOSFET具有优越的电气特性和热管理能力，适合广泛的应用场合，特别是在高功率开关和电源管理电路中。
基本参数
SQD50N10-8M9L_GE3的基础参数表明其在持续性性能和耐用性方面的优势。该MOSFET的最大漏极电流（Id）可以达到50A，且在25°C的环境温度下，能够承受最高136W的功率耗散。这使得它非常适合用于要求高电流和高功率处理的应用，如电机驱动、电源转换和工业控制等场景。
导通电阻与驱动电压
SQD50N10-8M9L_GE3在特定工作条件下的导通电阻（Rds On）为8.9毫欧（在15A、10V的条件下），这一低阻抗特性确保了在高负载工作时的能量损耗降至最低，从而提升系统整体效率。此外，该FET的驱动电压范围为4.5V至10V，能够与多种驱动电路相兼容，减少设计复杂性。
输入电容与栅极电荷
该MOSFET在不同漏源电压（Vds）时的输入电容（Ciss）为2950pF@25V。这一参数对于高频率开关应用尤为关键，因为较低的输入电容值可以有效提高开关速度，减少开关损耗。其中，最大栅极电荷（Qg）为70nC@10V，这使得在开关操作中，所需的驱动功率显著降低，有利于驱动电路的设计和优化。
工作温度范围
SQD50N10-8M9L_GE3具备极宽的工作温度范围，从-55°C到175°C（TJ），这使得其在极端操作条件下仍能稳定工作。这一特性尤其适合于汽车电子、航空航天及其他要求高可靠性的工业设备，使得该组件在高温或低温环境中保持良好性能。
封装类型与安装方式
SQD50N10-8M9L_GE3采用表面贴装型TO-252AA封装，具有较小的占板空间，并方便现代电子电路的自动化生产与组装。表面贴装技术（SMT）不仅提升了PCB的密度，还有助于提高电气性能。
应用领域
由于其优异的性能参数，SQD50N10-8M9L_GE3广泛应用于各类高效电源转换、电动汽车、DC-DC转换器、LED驱动器，以及工业自动化设备等领域。尤其适合需要快速切换和高电流处理的场合，能够有效提升系统的整体效率和可靠性。
总结
SQD50N10-8M9L_GE3是VISHAY推出的一款高效N通道MOSFET，其优越的电气特性，使其在多个领域表现出色。凭借其低导通电阻、高电流承载能力、广泛的工作温度范围，以及适合高频应用的输入电容，这款MOSFET无疑是现代电子工程师在设计高性能电源和驱动器时的优选组件。无论是在高功率、快速切换、还是在恶劣环境下工作，SQD50N10-8M9L_GE3凭借其卓越的性能稳定性，能够满足广大用户的需求和期望。