漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2.3A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 2.3A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 2.3A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.3nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 205pF @ 30V | 功率耗散(最大值) | 2W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23(TO-236AB) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SQ2308CES-T1_GE3是一款由威世(VISHAY)公司生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),旨在满足多种电子应用的需求。该器件具有60V的漏源电压(Vdss)、2.3A的持续漏极电流(Id @ 25°C),以及优越的导通性能,非常适合用于功率开关、信号放大和电流控制等场景。该MOSFET采用SOT-23封装,适合表面贴装,便于集成到现代电子电路中。
SQ2308CES-T1_GE3适用于多种电子应用,包括但不限于:
SQ2308CES-T1_GE3采用SOT-23(TO-236AB)封装形式,是一款表面贴装型器件。其小巧的尺寸和轻便的重量使其特别适合于空间受限的应用场合。同时,表面贴装技术也使得其在生产过程中可以实现更高的自动化程度,提高工艺效率。
总体而言,SQ2308CES-T1_GE3是一款出色的N沟道MOSFET,凭借其高整合度、低功耗和宽广的工作温度范围,能够满足现代电子产品对性能、效率和稳定性的严格要求。作为源于威世的可靠器件,SQ2308CES-T1_GE3在电气性能、热管理和使用便利性等方面均具有明显优势,是多种电子设计中的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,SQ2308CES-T1_GE3都能提供优异的性能支持。