漏源电压(Vdss) | 650V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 47A |
栅源极阈值电压 | 3.9V @ 2.7mA | 漏源导通电阻 | 70mΩ @ 30A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 415W | 类型 | N沟道 |
SPW47N60C3 是由英飞凌(Infineon)制造的一款高性能 N 沟道场效应管(MOSFET),其电压等级可达 650V,适用于多种高电压和高功率的应用场合。该器件采用 TO-247AC-3 封装,具有较大的散热能力,特别适合于需要高功率处理的电子电路。
高电压耐受性: SPW47N60C3 的电压耐受能力高达 650V,适用于要求高绝缘和电压稳定性的高压电源转换器和工业设备中。
高电流处理能力: 该 MOSFET 可以连续承受高达 47A 的漏极电流,在多种应用下能够提供可靠的性能,特别是在电机驱动和变频器的场合。
低导通电阻: 70mΩ 的低导通电阻在高电流环境中显著降低了功耗和发热,提高了效率。这使得 SPW47N60C3 特别适合用于高效率的 DC-DC 转换器和线性电源。
良好的热性能: 最大功率耗散达 415W,提供了良好的散热能力,即使在高功率应用中,仍可保持器件的稳定性和可靠性。
可扩展性: SPW47N60C3 的设计使其在多种电源转换、开关电源和功率放大器等应用中具备良好的适应性。
电源转换领域: 该 MOSFET 常用于开关电源(SMPS)、逆变器和高频 DC-DC 转换器中,能够有效提高整体设备的能效。
电机控制: 因其高耐压与大电流能力,SPW47N60C3 适合用于电机驱动和控制,例如变频器和伺服驱动系统,为工业自动化提供有力支持。
消费电子: 在家用电器、音频放大器和电动工具等设备中,适用该 MOSFET 来提高功率处理能力和能源效率。
充电桩: 适用于电动汽车的充电桩,为电池的快速充电和安全保护提供支持。
总体而言,SPW47N60C3 是一款具备高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适合于多种高电压和高功率的电子应用。英飞凌作为业内知名品牌,其产品在性能、质量及技术支持方面均具有良好的口碑。通过选择 SPW47N60C3,工程师和设计人员可以在设计中实现更高的效率和更强的可靠性,同时也推进了可持续产品的开发与应用。