SIR426DP-T1-GE3
SIR426DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 10.5mΩ @ 15A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 4.8W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta），41.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR426DP-T1-GE3手册
SIR426DP-T1-GE3概述
SIR426DP-T1-GE3 产品概述
概述
SIR426DP-T1-GE3 是一种高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）提供。该MOSFET以其优越的电流承载能力和低导通电阻特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源以及其他要求高效率和高可靠性的领域。凭借其先进的 PowerPAK® SO-8 封装，SIR426DP-T1-GE3 提供了卓越的热性能和空间节省，使其在紧凑的系统设计中表现出色。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 40V，适合多种中等电压应用场景，能够有效处理高电压工作条件。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，SIR426DP-T1-GE3 可承载高达 30A 的连续漏极电流，这使其能够满足许多高电流负载的驱动需求。
导通电阻（Rds(on)）: 在 4.5V 的驱动电压下，导通电阻仅为 10.5 毫欧 @ 15A，这意味着该MOSFET在工作状态下可以实现低功率损耗，提高整体能效。
功率耗散: SIR426DP-T1-GE3 在室温（Ta=25°C）下的最大功率耗散为 4.8W，而在结温（Tc）情况下则达到 41.7W，指示该器件在高负荷状态下的热管理能力。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在严苛环境下运行，确保长期稳定性和可靠性。
输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）: 在 20V 的条件下，其输入电容为 1160pF，而在 10V 时的栅极电荷最大值为 31nC，保证了良好的开关特性和低开关损耗。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件在 250µA 流量下，栅源极阈值电压为 2.5V，指示其适合使用低电压驱动信号。
封装: SIR426DP-T1-GE3 使用 PowerPAK® SO-8 封装，具有出色的散热能力和较小的占用空间，适用于有限空间内的电路设计。
应用领域
SIR426DP-T1-GE3 的设计使其非常适合多种应用场景，特别是在以下领域表现突出：
DC-DC 转换器: 在开关电源及直流-直流转换器中，用作主开关和同步整流器，提供高效的电力转换。
电机驱动: 用于驱动各类电动机，包括直流电机和步进电机，提供高效的工作性能和较低的热量产生。
LED 驱动电路: 在LED照明和其他照明领域，作为开关驱动器，实现高功率效率。
电源管理: 可用于各种电源管理解决方案中，提高电力传输效率和系统整体性能。
总结
总之，SIR426DP-T1-GE3 是一款性价比高且性能优越的 N 沟道 MOSFET，适合在苛刻环境和高负荷条件下工作。凭借其超低的导通电阻、较广的工作温度范围及优异的功率耗散能力，SIR426DP-T1-GE3 能够满足多个高效电源管理及驱动方案的需求，是现代电力电子设计中不可或缺的重要组件。无论是用于工业、汽车还是消费电子领域，该MOSFET均为设计工程师提供了灵活性和可靠性。