SIR158DP-T1-GE3
SIR158DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.8mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.4W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4980pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 5.4W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR158DP-T1-GE3手册
SIR158DP-T1-GE3概述
SIR158DP-T1-GE3 产品概述
产品简介
SIR158DP-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品。该器件专为高效能应用设计，广泛用于电源管理、转换器和其他高电流负载环境中，其特性使其在各类现代电子设备中成为理想选择。
基础参数
SIR158DP-T1-GE3 的关键参数包括最大漏源电压（Vdss）为 30V，表明其能够处理的最高电压。同时，其连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达到高达 60A，这使得它在高负载条件下具备良好的表现。该器件的导通电阻（Rds(on)）在 20A 和 10V 的驱动条件下为 1.8毫欧，极低的导通电阻有助于降低能量损耗，提高整体效率。
电子特性
该MOSFET的栅源极阈值电压为 2.5V（@ 250µA），表明在此电压下MOSFET开始导通。驱动电压的变化范围从4.5V到10V，可为不同应用场景提供灵活性。对于不同漏极电流（Id）和栅极电压（Vgs），SIR158DP-T1-GE3 在最大导通电阻方面表现卓越，确保在不同工作条件下具有稳定的性能。此外，它在各种工作环境中的表现也得到了优化，适应了在-55°C到150°C的宽广温度范围。
功率耗散与热管理
功率耗散是电子元件设计中至关重要的一个方面。SIR158DP-T1-GE3 的最大功率耗散为 5.4W（在环境温度为 25°C 时），并在结温（Tc）条件下可达到 83W。这使得该MOSFET在高功率应用中具备比同类产品更好的热管理能力，尤其是在需要高效散热的严苛环境中。
安装与封装
该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，适合表面贴装（SMD）设计。PowerPAK 封装所提供的尺寸小、散热性能优越，使得 SIR158DP-T1-GE3 成为在空间受限的应用中绝佳的选择。
应用场景
凭借其高漏电流能力和低导通电阻，SIR158DP-T1-GE3 在多种应用中表现出色，特别适用于电源转换器、电机驱动、高频开关电源、DC-DC 转换器及其他需要高效能和低损耗的电路设计中。无论是在工业设备、消费电子、汽车电子，还是在其他需要高电流管理的场合，SIR158DP-T1-GE3 都能提供可靠的解决方案。
总结
总的来说，SIR158DP-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和出色的热管理能力，为现代电子应用提供了强有力的支持。VISHAY（威世）以其卓越的设计和制造技术，使得该产品在性能、稳定性和经济性方面，能够满足日益增长的市场需求，成为行业内不可或缺的元件之一。在未来的电力电子应用中，SIR158DP-T1-GE3 无疑将继续发挥重要作用。