SIHG70N60AEF-GE3
SIHG70N60AEF-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 410nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5348pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 417W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
SIHG70N60AEF-GE3手册
SIHG70N60AEF-GE3概述
SIHG70N60AEF-GE3 产品概述
SIHG70N60AEF-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名品牌 VISHAY（威世）提供，广泛应用于高压和高功率的电子电路中。它在功率电子设备、开关电源以及电机驱动等领域的应用极为广泛，因其卓越的性能和高效率而受到设计工程师的青睐。
关键性能参数
漏源电压（Vdss）: SIHG70N60AEF-GE3 的漏源最高工作电压达到 600V，使其适合用于高压电源和其他需要高电压输出的场合。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的工作环境下，该 MOSFET 的连续漏极电流达到 60A（以 Tc 为基准），在适当的散热条件下能够提供稳定的电流输出，适合高功率应用。
导通电阻（Rds On）: 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 41 毫欧，且在 35A 的导通条件下维持这一性能，从而有效减少在高电流条件下的功耗和热量产生，提升了整体的能效。
门极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大栅源阈值电压为 4V @ 250µA，这一低阈值保证了更灵活的驱动要求，能够与多种电源管理电路兼容。
门极电荷（Qg）: 在 10V 的驱动条件下，门极电荷最大为 410nC，代表了较低的栅极驱动损耗，这使得在快速开关应用中表现出色，同时提高了开关频率的能力。
输入电容（Ciss）: 在 100V 下的输入电容为 5348pF，这一特性在高频开关过程中能有效降低开关损耗，提高开关速率。
功率耗散: SIHG70N60AEF-GE3 的最大功率耗散达到 417W（以 Tc 为基准），使其在处理高功率的电子设备时具备优秀的热管理能力。
工作环境和安装
SIHG70N60AEF-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应了众多极端环境下的应用需求。器件采用 TO-247AC 封装，方便通孔安装，具有良好的散热性能。此外，该元件还可以通过适当的散热设计，在高温环境中保持稳定的工作状态。
应用场景
开关电源（SMPS）: 由于其高电压和电流处理能力，SIHG70N60AEF-GE3 是开发高效率开关电源的理想选择，能够提供稳定的输出并减少能量损耗。
马达驱动: 在电机控制中，MOSFET 的快速开关能力使得其能够高效地控制电机的转速与扭矩，提升电机系统的整体性能。
逆变器: 在光伏和风能等可再生能源的逆变器设计中，SIHG70N60AEF-GE3 的高耐压和高效率表现，使其成为非常可靠的开关元件。
电源管理系统: 该 MOSFET 在音频设备、计算机电源和各种电源管理系统中也有广泛的应用，能够有效提高设备的能效和可靠性。
总结
作为 VISHAY 提供的一款优质 N 通道 MOSFET，SIHG70N60AEF-GE3 结合了高耐压、优异的导通性能和宽广的工作温度范围，满足了高功率电子设备的需求。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，该产品都展现出了极佳的性能表现，是工程师们不可或缺的优秀选择。