SIHG47N60E-GE3
SIHG47N60E-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 47A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 64 毫欧 @ 24A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 220nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9620pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 357W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-247AC |
SIHG47N60E-GE3手册
SIHG47N60E-GE3概述
SIHG47N60E-GE3 产品概述
简介
SIHG47N60E-GE3 是 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用TO-247AC封装。这款 MOSFET 具备优异的电气特性，主要功能是用于高电压和大电流的开关控制以及功率转换应用。这些特性使得 SIHG47N60E-GE3 非常适合于电源供应、变频器、逆变器、高压电机驱动等各种电力电子设备中。
封装和安装
SIHG47N60E-GE3 采用 TO-247-3 封装形式，并支持通孔（THT）安装。这种封装形式既能有效散热，又能保证器件的机械强度和可靠性，适合于要求较高的工业电子应用。TO-247 封装的特点是具有较大的接触面积，易于与放热设备连接，以最大化散热性能。
电气参数
SIHG47N60E-GE3 的主要电气参数包括：
- 漏源极电压 (Vdss): 600V - 适合用于高压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 47A（在 Tc = 25°C 时）- 提供较大的载流能力。
- 栅源电压 (Vgs): ±30V - 为栅极驱动提供灵活性。
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 64 毫欧（在 Id = 24A, Vgs = 10V 时），此特性确保了低的导通损耗。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V（@ 250µA）- 确保了器件能在低电压下有效工作。
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 220nC（在 Vgs = 10V 时），这一参数对于开关频率较高的应用尤为重要。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 9620pF（在 Vds = 100V 时），其较高的输入电容值在快速开关时可导致开关损耗。
功率耗散
SIHG47N60E-GE3 的功率耗散最大值为 357W（在 Tc）条件下，指示该器件在高负载条件下的可靠性和性能优越性。在多种工作条件下，该器件均能保持高效能，满足严格的热和电气要求。
工作温度范围
该 MOSFET 适合在宽广的工作温度范围内运作，工作温度可达 -55°C 到 150°C（TJ）。这样的高温范围确保了器件在各种苛刻环境下仍然可靠工作，尤其是在高温和高电压情况下，例如轨道交通、航空航天或新能源汽车等应用领域。
应用领域
因为其独特的技术规格，SIHG47N60E-GE3 MOSFET 常用于：
- 电源电路：开关电源、直流-直流转换器、逆变器等。
- 电动机驱动：用于控制和驱动高功率电动机。
- 电力电子：如高压直流转换、整流等。
- 工业应用：在各种工业自动化设备中，提供可靠的开关控制。
总结
总的来说，SIHG47N60E-GE3 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，适用于需要高电压和大电流的应用场合。凭借其优越的电气特性和宽工作温度范围，该器件为现代电力电子设计提供了强有力的支持，满足高性能和高可靠性的需求。不论是在电源、电动机驱动还是其他功率转换应用中，SIHG47N60E-GE3 都能展现出出色的性能，为电子工程师提供更多设计灵活性。