SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 270mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 76nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2942pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC | 封装/外壳 | TO-247-3 |
SIHG20N50C-E3手册
SIHG20N50C-E3概述
SIHG20N50C-E3 产品概述
产品简介
SIHG20N50C-E3 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该器件设计用于需要高电压和大电流的应用场景，是现代电子设备中高效能功率开关的重要选择。它具备出色的导通电阻表现和耐高温特性，使其在工业、消费电子和电源管理等领域中广泛应用。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id）: 20A（在25°C下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 270mΩ @ 10A, 10V
- 最大功率耗散: 250W（在 Tc=25°C 时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-247AC（通过孔安装）
性能特点
高电压和大电流能力: SIHG20N50C-E3 的Vdss高达 500V，能有效处理高电压应用，对电流的最大承受能力达到 20A，这使得它在高功率转换电路中非常可靠。
低导通电阻: 在 10A 和 10V 的条件下，其导通电阻仅为 270mΩ，这减少了能量损耗并优化了转换效率，因此在高负载情况下可以长时间稳定工作。
优秀的热性能: 250W 的最大功率耗散能力以及广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），使得该器件可以在极端环境条件下保持良好的性能，适合工业及汽车等严苛的应用场景。
高效的开关性能: 该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）在 10V 时为 76nC，意味着在高频应用中，它能够迅速切换，降低开关损耗，提高效率。
稳健的栅极驱动特性: 最大栅源电压（Vgs）为 ±30V，确保在各种驱动电压下都能稳定可靠地运行。
便于安装与散热: TO-247AC 封装设计使其易于安装，适合大功率设备的焊接，同时有利于及时散热，保持元器件的可靠性。
应用场景
SIHG20N50C-E3 广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制等应用中。具体应用示例包括：
- 电源管理: 适用于高效率电源供应器和开关电源系统，可以有效提高能量转换效率，降低能源损耗。
- 工业自动化: 在电机驱动及运动控制的电路中，该 MOSFET 能够承受高电压和高电流，从而保证设备的平稳运行。
- 电动车和新能源: 在电动车的逆变器和充电设备中，需要高效能和高稳定性的开关元器件，SIHG20N50C-E3 可提供极佳的解决方案。
- 家电产品: 在高功率家电如空调、洗衣机等设备中，作为开关元件，确保高效的能量利用和稳健的运行。
总结
SIHG20N50C-E3 是一款优质的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电压承受能力、低导通电阻和宽工作温度范围，成为众多高效电源应用中的理想选择。无论是在工业、汽车，还是消费电子领域，其卓越的性能和可靠性都使其成为推动电气和电子技术创新的核心组件。