SI7892BDP-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 15A 1个N沟道 SO-8
库存 :
2975(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.88按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.88
--
100+
￥3.23
--
750+
￥2.99
--
1500+
￥2.85
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7892BDP-T1-E3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3775pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7892BDP-T1-E3手册
SI7892BDP-T1-E3概述
产品概述：SI7892BDP-T1-E3 N沟道 MOSFET
SI7892BDP-T1-E3 是由知名元器件制造商 VISHAY（威世）生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，封装形式为 PowerPAK® SO-8。这款器件具备优异的电气性能与热管理特性，适用于各种高效能电源管理与开关应用。以下是其主要参数及应用场景的详细分析。
1. 基本参数
- FET 类型: N 沟道
- 封装类型: PowerPAK® SO-8
- 漏源极电压（Vdss）: 30V，适合于中等电压范围的应用
- 栅源电压（Vgss）: ±20V，保证了在高栅电压工作时的安全性
- 连续漏极电流（Id）: 15A @ 25°C，能够满足大多数负载要求
- 功率耗散（P_D）: 1.8W @ 25°C，良好的热管理能力
2. 电气特性
SI7892BDP-T1-E3 提供了良好的导通特性：
- 导通电阻（Rds(on)）: 4.2毫欧 @ 25A 和 10V，使其在工作时能有效降低能量损耗，提升效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 3V @ 250µA，意味着它在较低的栅极电压下即可迅速导通。
- 栅极电荷(Qg): 40nC @ 4.5V，有助于提高开关速度，降低开关损耗。
此外，该组件的输入电容 (Ciss) 达到 3775pF @ 15V，良好的输入特性可使其与其他电路元件更为配合，有助于信号的快速转移和稳定。
3. 工作环境
SI7892BDP-T1-E3 的工作温度范围广泛，达到 -55°C 至 150°C。这样的设计使其可以在极端环境下稳定工作，适用于汽车、工业及其它高可靠性电子设备。
4. 应用场景
此款 N 沟道 MOSFET 由于其出色的电气特性和封装优势，广泛应用于多个领域：
- 电源管理: 其低导通电阻和高效率的特性使其非常适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理领域。
- 电动机驱动: 在电动机控制中，SI7892BDP-T1-E3 可以作为开关元件用于DC刷电动机或步进电动机的驱动。
- 汽车电子: 由于其高温工作能力和小巧封装，特别适合用于汽车的电源控制模块（PCM），以及其他汽车电子设备中。
- 消费电子: 在便携式设备以及其他小型电子产品中用于电源开关和负载开关。
5. 总结
SI7892BDP-T1-E3 是一款兼具高性能与高可靠性的 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电流处理能力和热管理特性，适用于多个高端应用领域。特别是在电源管理和电动机驱动等场景中，可以帮助设计工程师实现高效、稳定的电源解决方案。
凭借 VISHAY 的品牌影响力和该器件的先进技术特点，SI7892BDP-T1-E3 无疑是追求性能与稳定性设计者的理想选择。