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SI7852DP-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.131g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.9W 80V 7.6A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
10.83按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥10.83
--
100+
￥9.41
--
750+
￥8.55
--
1500+
￥8.23
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7852DP-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.6A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA(最小) | 漏源导通电阻 | 16.5mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.9W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7852DP-T1-E3手册
无数据
SI7852DP-T1-E3概述
SI7852DP-T1-E3 产品概述
产品背景与市场定位
SI7852DP-T1-E3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的高性能 N 沟道增强型场效应管（MOSFET），采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效率和高密度应用设计。凭借其优秀的电气特性，该 MOSFET 广泛应用于电源管理、马达驱动、开关电源和各种功率控制电路中，旨在满足现代电子产品对高效能、低损耗和小型化设计的要求。
主要规格参数
- 漏源电压 (Vdss): 最大 80V，适用于中等电压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，最大可以承受 7.6A，具备良好的导电能力。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 最小值为 2V @ 250μA，确保在低电压条件下开启。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10A 和 10V 条件下，最大 16.5 毫欧的导通电阻，显著降低传导损耗。
- 最大功率耗散 (Pd): Tai=25°C 时最大为 1.9W，保证了有效的热管理。
- 工作环境温度: 适应范围为 -55℃ 到 +150℃，适合各种苛刻环境的应用。
设计与封装
SI7852DP-T1-E3 的 PowerPAK® SO-8 封装设计提供了优异的散热性能与紧凑的空间占用，使其非常适合高密度的电路板设计。该封装不仅支持高电流，还为整个系统提供了稳定的电源管理解决方案，特别是在空间受限的应用场合。
性能优势
- 高效率: 采用先进的 MOSFET 技术与低 Rds(on) 特性，大幅度降低了电源的开关损耗，提高了整体工作效率。
- 低发热: 由于导通电阻低，减少了功率损失，使得元件在高负载下的发热量显著降低，延长了系统的使用寿命。
- 宽广的应用范围: 从消费者电子产品到工业设备，该 MOSFET 的广泛工作温度范围与高耐压能力使其在众多应用中保持良好性能。
应用领域
SI7852DP-T1-E3 可广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS），如适配器和电源模块。
- DC-DC 转换器，尤其在需要高转化效率的场合。
- 马达驱动器，适用于小功率电机和家电设备。
- LED 驱动，以及其他需要高频率开关控制的电路。
- 各类消费电子设备，如笔记本电脑、手机充电器等。
结论
综上所述，SI7852DP-T1-E3 作为 VISHAY（威世）推出的高效 N 沟道 MOSFET，以其优秀的电气特性与适应性，成为现代电子设计中的理想选择。其先进的封装设计、优良的导电性能及宽温工作范围，使其在电源管理、马达驱动等众多应用中均表现出色，为电子设计师提供了强有力的支持与解决方案。