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SI7726DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK-1212-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
09+数量 :
X
0.772按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.772
--
200+
￥0.532
--
1500+
￥0.484
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7726DN-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1765pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），52W（Tc） | 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7726DN-T1-GE3手册
SI7726DN-T1-GE3概述
产品概述：SI7726DN-T1-GE3 N沟道MOSFET
基本信息： SI7726DN-T1-GE3是一款高性能N沟道MOSFET，由知名半导体制造商VISHAY（威世）生产，具备卓越的电气性能和宽广的工作温度范围。该产品的封装采用PowerPAK® 1212-8表面贴装结构，适用于空间受限的现代电子产品设计中。它主要用于需要高效率和高功率处理的应用，例如开关电源、DC-DC变换器、电机驱动和其他电源管理领域。
电气特性：
- 漏源极电压（Vdss）：该MOSFET能够承受的最大漏源极电压为30V，充分满足中低压电子应用的需求。
- 电流能力（Id）：在25°C的环境温度下，SI7726DN-T1-GE3提供最大连续漏极电流为35A（当结温为Tc时），确保其能够在高负载条件下稳定工作。
- 导通电阻（Rds(on)）：该器件在10V的门极驱动电压下，最大导通电阻为9.5毫欧。这一低导通电阻值意味着在开关过程中有较小的功率损耗，提高了系统的整体效率。
门极特性：
- 驱动电压（Vgs）：有效的驱动电压范围为4.5V至10V。在10V时，器件的优化性能能够有效得以发挥，表现出低导通电阻和优良的开关特性。
- 门极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的电流下，最大阈值电压为2.6V，显示出良好的一致性，以便在各种应用环境中稳定工作。
- 栅极电荷（Qg）：在10V下，门极电荷量为43nC，相对较低的门极电荷使得驱动电路设计简化，并在高频开关应用中可减少开关损耗。
电容特性：
- 输入电容（Ciss）：在15V的漏源极电压下，输入电容为1765pF。这一特性影响了开关速度，并在设计时需考虑与驱动电路之间的匹配。
功率和热管理：
- 功率耗散（Pd）：在环境温度下，该器件的功率耗散最大为3.8W，而在结温条件下（Tc）可达到52W，显示出良好的热管理能力。
- 工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围广，从-50°C到150°C的工作范围适合各种极端环境条件，确保其在恶劣条件下的长期可靠性。
应用场景： SI7726DN-T1-GE3非常适合用于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电池供电设备
- 电机控制
- LED驱动电源
总之，SI7726DN-T1-GE3 N沟道MOSFET是一款可靠、高效且性价比高的电子元器件，广泛适用于各类需要高功率和高效能的应用，特别是那些对电气性能要求严格的电源管理系统中。其紧凑的封装及优异的热管理性能使其成为现代电子产品设计中不可或缺的一部分。