SI7469DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.13g
描述 :
场效应管(MOSFET) 5.2W 80V 28A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
13771(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
7.75按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.75
--
100+
￥6.46
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750+
￥5.98
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1500+
￥5.7
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3000+
￥5.42
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7469DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 28A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 10.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 10.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4700pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 5.2W（Ta），83.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7469DP-T1-GE3手册
SI7469DP-T1-GE3概述
SI7469DP-T1-GE3 产品概述
概述
SI7469DP-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，具备强大的电气性能和广泛的应用适应性。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有优良的散热性能与小型化特点，适合于多种电子设备的集成使用。
基本参数
- 漏源电压 (Vdss): 80V
- 连续漏极电流 (Id): 28A (25°C 时，Tc)
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 25mΩ @ 10.2A, 10V
- 最大功率耗散: 5.2W (Ta=25°C)，83.3W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 最大栅极电压 (Vgs): ±20V
- 输入电容 (Ciss): 4700pF @ 40V
- 栅极电荷 (Qg): 160nC @ 10V
主要特性
高电压和电流能力: SI7469DP-T1-GE3 能够承受高达 80V 的漏源电压以及 28A 的连续漏极电流，使其在高功率、电源管理以及电机控制等应用中表现出色。
低导通电阻: 该器件的导通电阻为 25mΩ，能够有效降低电能损耗，提高电路效率，是设计低功耗应用时非常理想的选择。
快速开关特性: 通过较低的栅极电荷（160nC），该 MOSFET 可以支持高频开关应用，减少开关损耗，适用于开关电源和其他高频电路布局。
宽广的温度适应性: SI7469DP-T1-GE3 的工作温度范围从 -55°C 至 150°C，使其在恶劣环境条件下也能稳定工作，适合于汽车、工业和航空领域等具有挑战性的应用。
紧凑的封装: PowerPAK® SO-8 封装提供了优良的散热管理能力且占用空间较小，可以有效提升电路的整体集成度与性能。
应用场景
SI7469DP-T1-GE3 适用于诸多应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关元件在 DC-DC 转换器中使用，能够提高转换效率和整体性能。
- 电机驱动: 在低至中功率电机控制应用中，提供高效的功率开关解决方案。
- 智能家居设备: 在要求低功耗与高可靠性的智能设备中，例如 LED 驱动、电池管理系统等。
- 汽车电子: 在汽车电气控制系统中，能够在恶劣条件下保持性能稳定，适合用于车载充电器等应用。
结论
作为一款高性能的 P 通道 MOSFET，SI7469DP-T1-GE3 以其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑封装而备受青睐，能够满足现代电子设计中对功率性能与效率的高要求。无论是在电源管理、电机控制，还是智能设备和汽车电子等领域，SI7469DP-T1-GE3 都是一个非常可靠的选择。