注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI7450DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.9W 200V 3.2A 1个N沟道 SO-8
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
7.73按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.73
--
100+
￥6.72
--
750+
￥6.11
--
1500+
￥5.88
--
3000+
￥5.65
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7450DP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7450DP-T1-GE3手册
SI7450DP-T1-GE3概述
SI7450DP-T1-GE3 产品概述
SI7450DP-T1-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由威世（VISHAY）公司设计和制造，专为各种高电压和高电流的应用场合而开发。该器件采用PowerPAK® SO-8封装，结合其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，使其成为多种电子设备和电路设计的理想选择。
主要参数
封装与类型：SI7450DP-T1-GE3采用了行业标准的PowerPAK® SO-8封装，具有紧凑的尺寸和高散热性能，适合表面贴装（SMT）技术。这种封装方式不仅简化了电路板的布局，还提高了组装效率。
电气特性：
- 漏源极电压（Vdss）：最大可承受200V的漏源极电压，适用于高压电路应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境条件下，该器件可持续承载3.2A的漏电流，确保其在高负载情况下的稳定性。
- 栅源极电压（Vgss）：器件的栅源极电压允许在±20V的范围内操作，这是控制和驱动MOSFET的重要参数。
导通性能：SI7450DP-T1-GE3具有优秀的导通电阻性能。在4A的漏电流和10V的栅压下，最大导通电阻为80毫欧。这保证了在高电流通过时的低能量损耗和发热，同时提高了电路的整体效率。
开关特性：
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件在250µA时的最大阈值电压为4.5V，确保器件可以在较低的栅压下开始导通，为应用的灵活性提供了选择。
- 栅极电荷（Qg）：在10V的栅压下，最大栅极电荷为42nC。这一特性对于高速开关应用尤为重要，能够减小开关损耗并提高效率。
工作温度范围：SI7450DP-T1-GE3支持广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，这使得该器件可以在严苛环境下可靠工作，满足各种工业和汽车应用的需求。
功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散为1.9W，适应中等功率的应用，保证了在高温和高负载条件下的安全运行。
应用场景
SI7450DP-T1-GE3的设计使其特别适用于如下应用场景：
- 电源管理：在开关电源、DC-DC转换器等电源管理电路中，凭借其高效率和低导通电阻特性，能够有效提升电源转换效率。
- 电机驱动：在伺服电机和直流电机驱动应用中，其高电压、高电流特性保证了电机能够在高效率和高性能下运行。
- 汽车电子：凭借其宽温特性和高可靠性，SI7450DP-T1-GE3适应了汽车电子领域中严苛的工作环境。
- LED驱动：在LED照明及背光应用中，MOSFET能够高效地管理电流，增大亮度和延长使用寿命。
结论
综上所述，SI7450DP-T1-GE3是一款功能强大且应用广泛的N沟道MOSFET，凭借其优越的电气特性和可靠性，使其在现代电子电路设计中占据了重要地位。无论是电源管理、工业控制还是汽车电子等领域，SI7450DP-T1-GE3都能够提供卓越的性能和持续的应用潜力，成为设计工程师的重要工具。