SI7415DN-T1-GE3
SI7415DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.6A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 65mΩ @ 5.7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 5.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7415DN-T1-GE3手册
SI7415DN-T1-GE3概述
产品概述：SI7415DN-T1-GE3 P沟道 MOSFET
产品简介
SI7415DN-T1-GE3是一款由Vishay（威世）公司生产的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件主要设计用于中等功率应用，具有优异的电气特性，适合于高效能的开关转换、电源管理及驱动电路。
基本参数
SI7415DN-T1-GE3的主要电气特性包括：
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 3.6A（在25°C环境条件下）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(On)): 65mΩ @ 5.7A, 10V
- 最大功率耗散 (Pd): 1.5W（在25°C下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
电气特性详解
漏源电压 (Vdss): 该MOSFET能够承受的最高漏源电压达到60V，这使其能够在多种中等电压应用环境中得以运作。
连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境温度下，器件可承受3.6A的连续漏极电流，使其能够支持比较高的负载需求。
导通电阻 (Rds(On)): 在5.7A和10V条件下，导通电阻仅为65mΩ，这有利于减少功率损耗，提高转换效率。较低的导通电阻也意味着在高负载条件下有较低的热负荷，有助于电路的可靠性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅阈值电压的特征使得其能够以3V的输入电压进行开启，非常适合于低电压驱动应用。
电源驱动电压: SI7415DN-T1-GE3在最大及最小导通电阻的条件下，可以接受的驱动电压为4.5V至10V，这为设计师提供了更大的灵活性。
栅极电荷 (Qg): 该器件在10V时的栅极电荷为25nC，这在高频率开关应用中是一个重要的指标，较小的电荷有助于实现更快的开关速度。
封装与安装
SI7415DN-T1-GE3采用PowerPAK® 1212-8封装，适合表面贴装（SMD）技术。该封装不仅有助于减小PCB面积，还能提高散热性能，适用于对空间及热管理有严格要求的应用。
应用领域
SI7415DN-T1-GE3主要适用于以下应用领域：
- 电源管理: 在DC-DC转换器中，作为开关元件使用，有助于提高转换效率。
- 马达驱动: 在电动机控制电路中，能够有效驱动直流电机，提高其效率和性能。
- 负载开关: 适用于需要开关控制的低压负载，如LED驱动、电池管理和自动化设备。
- 电池保护: 在电池管理系统中，作为保护开关元件，防止过流和过压的状况发生。
总结
SI7415DN-T1-GE3 P沟道MOSFET凭借其高效能的电气特性，适应广泛的应用需求，是设计师在开发电源管理、负载控制等系统时的理想选择。它的相对小巧封装与优异的热性能，进一步增加了其市场竞争力。无论是在工业应用还是消费电子产品中，SI7415DN-T1-GE3都是一款值得信赖的器件。