漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 16A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 10A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 52W(Tc) | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 18 毫欧 @ 10A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 65nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1960pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 3.7W(Ta),52W(Tc) |
工作温度 | -50°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7121DN-T1-GE3 是一款P沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),由威世(Vishay)公司制造。该器件专为高效能和可靠性应用而设计,适合各种电子电路中的开关和放大用途。与其他MOSFET相比,SI7121DN-T1-GE3 拥有出色的导通电阻和热特性,使其在功率管理和电源转换应用中表现优异。
SI7121DN-T1-GE3 适用于多种应用领域,包括但不限于:
该MOSFET采用了PowerPAK® 1212-8 封装,具有良好的热管理性能,便于表面贴装。紧凑的封装设计使得其能够在空间受限的电路板上使用,同时也便于散热,从而增强了其散热性能和可靠性。
SI7121DN-T1-GE3 是一款性能卓越的P沟道MOSFET,通过其低Rds(on)、高电流承载能力和宽广的工作温度范围,为设计人员提供了一个优秀的开关和放大选择。其多样的应用场景和可靠来源使得这款MOSFET在现代电子设计中极具价值,无论是在工业、汽车还是消费电子领域,SI7121DN-T1-GE3 都是值得信赖的解决方案。