SI4948BEY-T1-E3
SI4948BEY-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.4A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 3.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.4W | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4948BEY-T1-E3手册
SI4948BEY-T1-E3概述
SI4948BEY-T1-E3 产品概述
简介
SI4948BEY-T1-E3是一款由知名半导体制造商VISHAY（威世电子）生产的双P沟道场效应晶体管（MOSFET），专为需要高效能和高可靠性的电子应用设计。其出色的电气特性和极宽的工作温度范围，使其在多种电子设备中扮演着关键角色。该产品封装为8-SOIC，适合表面贴装PCB（印刷电路板），为现代电子设备提供灵活的设计解决方案。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）（25°C时）: 2.4A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 120mΩ @ 3.1A, 10V
- 最大功率耗散: 1.4W (Ta=25°C)
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: 8-SO, 尺寸为0.154"（3.90mm宽）
功能与应用
SI4948BEY-T1-E3是一款逻辑电平的MOSFET，能够在低门极驱动电平下实现出色的开关性能。这种特性使得它在开关电源、马达驱动、电源管理、电池管理系统以及其他需要控制和调节电流的应用中非常有效。其高额定电流和适中的漏源电压，非常适用于各类中等功率的电源转换和保护电路。
性能分析
高效能导通: SI4948BEY-T1-E3的漏源导通电阻（Rds(on)）为120毫欧，在3.1A、10V的条件下，保证了在开关过程中低功率损耗，从而提高了整体效率。这在电源转换应用中尤其重要，能够有效降低热损耗，减少散热需求。
宽阈值电压范围: 该MOSFET的栅源极阈值电压为3V @ 250µA，意味着在较低的栅极电压下，器件即可快速导通，适合与低电平逻辑电路兼容，降低了启动电压要求，增加了设计的灵活性。
高工作温度: SI4948BEY-T1-E3能够在极端的工作环境中可靠运行，最高可承受175°C的环境温度。这特别适合那些在高温条件下工作的工业应用，如汽车电子、航空航天和军事设备等。
封装特点
该器件采用8-SOIC封装，具有良好的散热性能和小巧的尺寸，适合在空间有限的应用中使用。表面贴装设计使得其在自动化生产线上的处理和安装更加便捷。
结论
SI4948BEY-T1-E3是一款稳定、高效能的双P沟道MOSFET，集多种优异性能于一身，适合应用于广泛的领域，包括电源管理、汽车电子、工业控制等。VISHAY的品牌信誉和产品可靠性，使其成为设计工程师和采购人员的首选。无论是在高温环境还是需要快速切换的应用中，SI4948BEY-T1-E3都能够为系统提供卓越的性能表现。