SI4634DY-T1-GE3

SI4634DY-T1-GE3 产品概述

基本信息

SI4634DY-T1-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET，由威世（VISHAY）公司制造，具有优良的电气特性和可靠性。这款场效应管采用 8-SOIC 封装，适合于各种表面贴装（SMT）应用，广泛用于电源管理、开关电源和其他要求良好散热性能的场合。

关键参数

• 封装类型: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
• FET 类型: N沟道
• 漏源极电压（Vdss）: 30V
• 持续漏极电流（Id）: 24.5A（在 25°C 时）
• 驱动电压: 4.5V（最小 Rds On）和 10V（最大 Rds On）
• 导通电阻（Rds On）: 在 10V 条件下，最大值为 5.2 毫欧（在 15A 时)
• 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 2.6V（在 250µA 时）
• 栅极电荷（Qg）: 在 10V 条件下，最大值为 68nC
• 输入电容（Ciss）: 在 15V 条件下，最大值为 3150pF
• 功率耗散: 最大 2.5W（在环境温度 Ta 条件下），5.7W（在晶体管 Tc 条件下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）

应用场合

SI4634DY-T1-GE3 MOSFET 因其卓越的电气性能和热管理特性，适合于多种电子应用，包括但不限于：

• 直流-直流转换器：在高效的电源管理系统中，MOSFET 常作为开关元件使用，尤其是在需要高电流和高电压的场景中。
• 电机驱动：在电机控制电路中，能有效提供快速的切换能力，帮助实现高效的能量传递。
• LED驱动电源：用于LED照明应用中，能够提供稳定的电流和低电阻特性，从而增强LED的性能和寿命。
• 电池管理系统：在电池充放电管理中，MOSFET 能有效控制电流流向，提升系统的安全性和效率。

性能优势

SI4634DY-T1-GE3 提供了一系列关键性能优势，使其在现代电子设计中具有非常强的竞争力：

• 低导通电阻（Rds On）：仅为最大值 5.2 毫欧，这使得设备能够在较高电流条件下运行，降低热损耗。
• 高电流承载能力：具备最高 24.5A 的连续漏极电流，能够满足对高功率应用的需求。
• 广泛的工作温度范围：可在-55°C 到 150°C 的环境下可靠工作，适用于各种极端条件的应用。
• 高可靠性和耐久性：作为威世半导体产品的一部分，SI4634DY-T1-GE3 在品质与制程控制上具有极高的标准。

结论

SI4634DY-T1-GE3 是一款功能强大且高效的 N 通道 MOSFET，以其高导电能力和低导通电阻，在现代电源管理和信号开关应用中占据了重要地位。威世公司以其创新的材料和严谨的生产工艺，为广泛的电子产品提供了强劲的支持与保障。无论是在工业应用、消费电子，还是在通信设备中，SI4634DY-T1-GE3 都能够帮助设计师实现安全、可靠且高效的设计解决方案。