漏源电压(Vdss) | 150V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.5A |
栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA(最小) | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.56W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 1.56W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
SI4488DY-T1-E3 是一款由知名半导体厂商 VISHAY(威世)生产的 N 沟道 MOSFET(场效应管),其出色的电气特性和适应性使其广泛应用于不同的电子电路中。产品具有高达 150V 的漏源电压,适合多种高压应用场景,尤其是在功率管理和开关电源设计中表现优异。其表面贴装型(SOIC-8)封装设计不仅节省空间,同时也简化了 PCB 布局,为现代电子产品的设计带来极大的便利。
漏源电压(Vdss): SI4488DY-T1-E3 能够承受高达 150V 的漏源电压,确保器件在高电压系统中的安全运作。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境条件下,该 MOSFET 可持续承载 3.5A 的漏极电流,具有出色的承载能力,适合高负载应用。
栅源极阈值电压: 产品的最小栅源阈值电压为 2V @ 250μA,确保逻辑信号能够有效控制 MOSFET。
漏源导通电阻(Rds(on): 在 10V 驱动电压下,漏源导通电阻的最大值为 50mΩ @ 5A,这意味着在工作中会产生较低的导通损耗,从而提高能效。
最大功率耗散: SI4488DY-T1-E3 的最大功率耗散为 1.56W(在环境温度 25°C 下),这使得其在热管理设计中具有一定的灵活性。
工作温度范围: 它支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定运行,适合各种工业和汽车应用。
栅极电荷(Qg): 在 10V 驱动电压下,栅极电荷最大值为 36nC,较低的栅极电荷有助于快速开关,从而提高工作频率,适用于高频开关电路。
封装类型: 采用 8-SOIC 封装,方便于自动贴装及密集布局应用,且提供良好的散热特性。
SI4488DY-T1-E3 由于其出色的电气参数和热特性,在以下应用中得到广泛使用:
SI4488DY-T1-E3 隶属于 VISHAY(威世)品牌的高性能 N 沟道 MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻、宽工作温度范围和高功率处理能力,成为设计现代电子电路的重要元件。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理、电机控制等应用领域,能够满足快速发展的电子市场对高性能元器件的需求。