SI4447ADY-T1-GE3 产品实物图片
SI4447ADY-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4447ADY-T1-GE3

商品编码: BM0000286272
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.116g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 4.2W 40V 7.2A 1个P沟道 SO-8
库存 :
1743(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.97
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.97
--
100+
¥1.51
--
1250+
¥1.32
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4447ADY-T1-GE3参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 5A,10V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.2A(Tc)FET 类型P 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)970pF @ 20VVgs(最大值)±20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)38nC @ 10V
漏源电压(Vdss)40V功率耗散(最大值)4.2W(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA

SI4447ADY-T1-GE3手册

SI4447ADY-T1-GE3概述

SI4447ADY-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI4447ADY-T1-GE3 是由 VISHAY(威世) 公司生产的一款高性能 P 通道场效应管(MOSFET),采用表面贴装型(SMD)封装,适用于各类电子设备的电源管理、开关控制等应用场景。该器件能够在极其广泛的温度范围内稳定工作,并展现出优异的电气性能,特别适合要求高效低功耗的设计。

关键规格

  • 最大漏极电流(Id): 7.2A(Tc)
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 导通电阻(Rds(on)): 45 mΩ @ 5A, 10V
  • 栅极驱动电压(Vgs): 4.5V(最小值),10V(最大值)
  • 功率耗散(Pd): 4.2W(Tc)
  • 输入电容(Ciss): 970pF @ 20V
  • 栅极电荷(Qg): 38nC @ 10V
  • 阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250µA
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: 8-SO(SO-8)

技术特色

SI4447ADY-T1-GE3 采用 MOSFET 技术,在开关应用中可实现快速的开关响应,降低了开关损耗,提升了系统整体效率。该器件的低导通电阻 (Rds(on)) 能有效地减少在电流流动过程中产生的热量,确保在高负载下的稳定运行。此外,高达 4.2W 的功率耗散能力也为其在高温或高电流应用中的可靠性提供了保障。

该 MOSFET 还具有良好的输入特性和低栅极电荷,简化了驱动电路设计,适合多个控制场合,包括电源转换器、马达驱动、负载开关、高频开关等。其栅极驱动电压范围宽广,既支持低电压驱动,也允许高电压驱动,为设计师提供了灵活性。

应用领域

SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 在各类电子产品中均有广泛应用,适用于:

  1. 电源管理系统: 作为开关场效应管,用于 DC-DC 转换器、功率模块,实现高效的电源转换。
  2. 马达控制: 在马达驱动电路中,作为开关元件,控制马达的启停和调速。
  3. 工业自动化设备: 在PLC系统、传感器及执行器中,充当开关及驱动元件。
  4. 消费电子: 用于计算机、电视、照明设备等系统中,实现节能和高效管理。
  5. 汽车电子: 在电动车、车载导航、动力管理等领域,提升电力效率。

相关优势

选择 SI4447ADY-T1-GE3 作为设计元件可以带来以下优势:

  • 高效率: 低导通电阻与低开关损耗,使其在高频操作下仍能保持高效。
  • 温度耐受性: 宽广的工作温度范围允许在极限条件下工作,提供更高的安全冗余。
  • 高可靠性: 经过严苛测试,适用于要求严格的工业和汽车应用。
  • 易于集成: SO-8 封装的表面贴装设计适合自动化生产线,提高组装效率。

总结

总的来说,SI4447ADY-T1-GE3 是一款高效、可靠、功能多样性强的 P 通道 MOSFET,适用于各种电力控制和开关应用。凭借其优异的电气特性和坚固的工业级性能,它为电子设计师提供了值得信赖的解决方案,助力高效能与低耗能的产品开发。