SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.7A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 14mΩ @ 10.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 10.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4401BDY-T1-E3手册
SI4401BDY-T1-E3概述
SI4401BDY-T1-E3 产品概述
1. 产品简介
SI4401BDY-T1-E3 是由威世（VISHAY）公司生产的一款高性能 P 沟道 MOSFET（场效应晶体管）。该器件专为满足现代电子设备在高效能和高密度应用中的苛刻需求而设计，适合用于电源管理、开关电路以及各种需要高效能开关的场合。其额定漏源电压为 40V，连续漏极电流可达到 8.7A，使得其在中功率应用中表现出色。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 连续漏极电流（Id, 25°C）：8.7A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）：14mΩ @ 10.5A, 10V
- 最大功率耗散：1.5W（Ta=25°C）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 栅极电荷（Qg）：最大值 55nC @ 5V
- 封装类型：8-SOIC
- Vgs（最大值）：±20V
3. 应用领域
SI4401BDY-T1-E3 适用于各种电子设计和应用，主要包括但不限于：
- 电源管理：作为电源开关和大功率控制器，特别适合于 DC-DC 转换器和电池供电设备。
- 电机控制：可用于驱动电机的开关，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制。
- 负载开关：在不同的负载条件下，能够快速响应，以确保系统的高效能。
- 消费电子产品：由于其小型化的 SOIC 封装，适合用于各种便携设备。
4. 性能特点
高效能：SI4401BDY-T1-E3 的导通电阻低达 14mΩ，在高电流应用下能够显著降低功率损耗，提高整体系统的能效。这样的特性使得在大电流情况下，温升最小化，延长了器件的使用寿命。
宽工作温度范围：此器件的工作温度范围达到了 -55°C 到 150°C，使其适合在极端环境下工作，如航空航天及工业控制应用。
快速开关能力：具备较低的栅极电荷（Qg），意味着在频繁导通与关断操作时，开关损耗小，从而提升了整体系统的运行效率。
易于集成：采用标准的 8-SOIC 封装，便于在 PCB 上布局与集成，适配于现代紧凑型设备设计。
5. 电路设计考虑
在设计电路时，应考虑MOSFET的栅源阈值电压（Vgs(th)）与控制电路的驱动电压适配，确保稳定导通。对环境的温度特性也应引起重视，以避免在极端条件下导致器件超额工作。在使用该器件构建开关电源时，合理设计散热结构和电流路径，同样能有效提升系统的稳定性和可靠性。
6. 结论
综上所述，SI4401BDY-T1-E3 是一款具备卓越性能的 P 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽工作温度，及高效能等特点，能够很好地满足现代电子产品对电源开关的需求。无论在电源管理、负载开关还是电机控制等领域，该器件都展现出了出色的应用潜力。因此，它是电子工程师和产品设计师在构建高效、可靠电子设备时的优选器件。