SI4154DY-T1-GE3
SI4154DY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 36A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3.3mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 7.8W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 105nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4230pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），7.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4154DY-T1-GE3手册
SI4154DY-T1-GE3概述
产品概述：SI4154DY-T1-GE3 MOSFET
一、基本信息
SI4154DY-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世半导体）生产的高性能N沟道MOSFET，适用于多种电子应用。该产品主要用于电源管理、负载开关、放大器和开关电路中，具有优良的电气特性和稳定的工作性能。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）：最大40V。这一参数保证了它虽然承受较高电压，但仍可在许多高压场合下稳定工作。
连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，可以承载高达36A的连续电流。这使得它适应高负载条件，满足大多数电源及负载控制的需要。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA时为2.5V，表明该MOSFET使用较低栅极驱动电压即可开始导通，降低了驱动电源的复杂性。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在15A和10V的条件下，最大导通电阻为3.3mΩ。这一低阻值确保了在导通时的少量能量损耗，从而提高了整体效率。
最大功率耗散（Ta = 25°C）：3.5W（环境温度下），7.8W（管芯温度下），使得其在散热设计方面有较高的灵活性。
三、应用领域
SI4154DY-T1-GE3被广泛应用于各种设备中，主要包括：
- 开关电源：在电源转换和开关控制中提供高效的电流管理。
- 电机驱动：作为电机驱动电路的开关元件，提高电机的工作效率。
- 能量回收系统：在各种能量回收应用中，MOSFET的高效开关特性能够显著减少能量损失。
- 电池管理系统：用于电池的充放电管理，优化电池的使用和寿命。
四、技术优势
高效率：低的导通电阻和漏源电压为SI4154DY-T1-GE3提供了卓越的导通效率。这使得该器件在高负载情况下仍能保持低能量损耗。
宽工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，适合于恶劣环境下的应用，确保其在高温或低温下仍能稳定工作。
较大的门极电压范围：最大栅源电压（Vgs）可达±20V，这使得它能够适配多种驱动电压水平，满足不同系统的需求。
良好的开关速度：基于金属氧化物技术，SI4154DY-T1-GE3具有快速的开关特性，使其适合于高频应用。
表面贴装型设计：采用8-SOIC封装，有效节省了空间，便于自动化生产和安装，提高了整体布线效果。
五、总结
总的来说，SI4154DY-T1-GE3是一款具有高度可靠性和出色性能的N沟道MOSFET，广泛适用于电源管理和开关应用。凭借其优良的电气特性、宽广的工作温度范围和灵活的封装设计，适合各种现代电子设备的需求。选择SI4154DY-T1-GE3，将为您的应用提供高效率、高性能的解决方案。