SI2374DS-T1-GE3
SI2374DS-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta），5.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 735pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SI2374DS-T1-GE3手册
SI2374DS-T1-GE3概述
SI2374DS-T1-GE3 产品概述
一、基本信息
SI2374DS-T1-GE3 是由威世半导体公司（VISHAY）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款元器件采用 SOT-23-3（TO-236-3）封装，适合表面贴装（SMT）的应用，具有优良的功率管理能力和紧凑的尺寸特性，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用领域包括电源管理、开关电源、LED 驱动、以及智能手机等小型设备中的电源切换和电流控制。
二、主要参数
漏源极电压（Vdss）: SI2374DS-T1-GE3 具有高达 20V 的漏源极电压能力，这使得其能够满足大多数低电压应用的需求，避免在电压过高时导致元件损坏。
电流能力: 在 25°C 环境温度下，这款 FET 的连续漏极电流可以达到 4.5A，而在更高的环境温度下（Tc），其电流能力可提升至 5.9A。这种高电流承载能力使得 SI2374DS-T1-GE3 可用于高功率电路。
驱动电压和导通电阻: 最小的栅源电压（Vgs）为 1.8V 时，MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）最大值为 30 毫欧（@ 4A，4.5V），这表明其在低电压驱动下也能有效控制内部电流，从而提升电源转换效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: Vgs(th) 最大值为 1V（@ 250µA），意味着 MOSFET 能够在较低的栅源电压下实现导通状态，从而降低功耗和提高效率。
输入电容及栅极电荷: 输入电容（Ciss）最大值为 735pF（@ 10V），栅极电荷（Qg）的最大值为 20nC（@ 10V）。较低的输入电容值与较小的栅极电荷使得该 MOSFET 可以在快速开关操作中表现出较高的响应速度。
功率耗散: 本产品的最大功率耗散为 960mW（在环境温度 Ta 下），在结温 Tc 环境下最大可达 1.7W。这种特性为产品提供了更高的热稳定性和可靠性，适合于持续工作在高负载的环境中。
工作温度范围: SI2374DS-T1-GE3 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C（TJ），确保了在严苛的工作条件下的稳定表现。
三、应用领域
电源管理: 该 MOSFET 是高效率的电源开关，可以广泛用于电源转换和调节电路中，满足现代电子产品对能效和体积的严格要求。
LED 驱动: 在 LED 照明应用中，SI2374DS-T1-GE3 可用作开关元件，有效地控制 LED 的驱动电流，从而提升整体照明效率。
消费电子: 小型电子设备如智能手机、平板电脑及其他便携式设备中，常用此 MOSFET 来提供开关控制和电源管理功能。
电机驱动: 在电机控制应用中，SI2374DS-T1-GE3 能够作为高效的开关元件，以优化电机的驱动电流，提高系统的性能。
四、总结
SI2374DS-T1-GE3 是一款功能强大、性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其高电流能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围，已成为众多电源管理和开关应用中的优选组件。其适应性强和高效能使其能够在多种电路设计中发挥至关重要的角色，是电子工程师在设计高效电源和电子设备时的重要资源。