SI2343DS-T1-E3
SI2343DS-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.1A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 53mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 750mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 53 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2343DS-T1-E3手册
SI2343DS-T1-E3概述
SI2343DS-T1-E3 产品概述
1. 产品简介
SI2343DS-T1-E3是一款来自VISHAY（威世）的高性能P沟道场效应管（MOSFET），在多种电子应用中表现出色。它旨在为各种电源管理、开关电路和音频放大器等提供高效率的导通性能。该器件采用SOT-23-3（TO-236）封装，具有优良的散热性能和小型化特点，适合表面贴装（SMD）应用。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）：3.1A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：53mΩ @ 4A, 10V
- 最大功率耗散：750mW (Ta=25°C)
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
3. 性能特性
SI2343DS-T1-E3具有出色的电气特性，适用于要求高效的开关应用。其漏源电压可达30V，能够满足许多低压应用的需求。其连续漏极电流为3.1A，使其在中等功率设备中具有相当的应用灵活性。此外，当Vgs为4.5V或10V时，其导通电阻（Rds(on)）低至53mΩ，在相对较低的电流下，能有效减少功耗，提高整体系统的效率。
4. 工作环境
该MOSFET在宽广的工作温度范围内表现优异，其工作温度可达-55°C至150°C。这使得SI2343DS-T1-E3非常适合在严酷环境下使用，如汽车电子设备、工业控制系统及高温应用。此外，其最大功率耗散为750mW（在25°C时），确保在高负载情况下仍能保持稳定的性能。
5. 驱动电压与栅极特性
SI2343DS-T1-E3的栅极驱动电压，在达到最低Rds(on)的条件下，需至少为4.5V，而在10V的情况下，可以获得更低的导通电阻。这使得该器件在与微控制器或逻辑电平控制电路协同工作时非常便利。栅极电荷量（Qg）也较低，仅为21nC @ 10V，有助于提高开关速度，降低驱动功耗。
6. 应用领域
由于其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围，SI2343DS-T1-E3可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：DC-DC转换器、稳压器、电池管理系统等。
- 开关应用：电机驱动开关、照明控制、负载开关等。
- 汽车电子：车载电源管理模块、自动驾驶辅助系统等。
- 工业自动化：传感器接口、电动阀控制等。
7. 封装与安装
SI2343DS-T1-E3采用流行的SOT-23-3（TO-236）封装，尺寸小，适合在空间受限的应用中使用。其表面贴装设计使得安装更加简便，利于快速生产和自动化组装。
8. 结论
SI2343DS-T1-E3是一款可靠而高效的P沟道MOSFET，凭借其优越的电气性能、宽广的工作温度范围及小巧的封装设计，成为众多应用的理想选择。无论是电源管理、开关控制还是工业应用，该器件都能满足各种需求，值得信赖。其来自VISHAY的品牌信誉，也为用户的选择提供了额外保障。