SI2328DS-T1-E3
SI2328DS-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.15A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 730mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.15A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 730mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2328DS-T1-E3手册
SI2328DS-T1-E3概述
SI2328DS-T1-E3 产品概述
一、基本信息
SI2328DS-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世）提供的 N 沟道 MOSFET，具有优异的电气性能和热管理特性。该产品在封装设计上采用了 SOT-23-3（TO-236）封装，适合表面贴装。随着电子设备向更小型化、功率密度更高的方向发展，MOSFET 作为关键构件，其低功耗、高效率的特性使其在现代电子应用中发挥了重要作用。
二、技术参数
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，使其能够在多种需要高电压操作的场合中使用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，SI2328DS-T1-E3 可以承受的连续漏极电流为 1.15A，确保了其在负载条件下的稳定性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该产品的栅源极阈值电压为 4V（@ 250uA），可确保其在较低的栅电压下即能启动工作，提供了良好的输入特性。
导通电阻 (Rds(on)): 当漏极电流为 1.5A 并施加 10V 的栅电压时，漏源导通电阻会降至 250mΩ，极大地降低了导通损耗，有助于提高系统的能效。
功率耗散 (P): 最大功率耗散为 730mW（在 Ta=25°C），使其能够处理较高的功率而不至于过热。
工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，能够在严酷环境下稳定运行，适用于工业、汽车和消费电子等广泛应用。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅电压下，门电荷为 5nC，显示出在快速开关中也能保持良好的性能，这对于高频应用尤为重要。
Vgs 最大值: Vgs 的最大值为 ±20V，这为设计提供了更大的灵活性，避免了潜在的损坏。
三、应用领域
SI2328DS-T1-E3 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：在 DC-DC 转换器中用作开关元件，有助于降低能耗并提高转换效率。
- 电机驱动：用于控制直流电机和步进电机的驱动电路，确保电机在不同负载条件下的可靠运行。
- 自动化控制：在工业自动化系统中，常用于控制电磁阀、继电器等高功率设备的开关。
- 便携式设备：由于其低功耗特性，适合在移动设备和电池供电的产品中应用，延长设备的使用时间。
四、总结
SI2328DS-T1-E3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有卓越的电气特性和广泛的应用范围。其优秀的导通电阻、适应性强的工作温度范围与低功耗特性，为现代电子产品提供了可靠的解决方案。无论是在消费电子、工业自动化还是电气驱动领域，SI2328DS-T1-E3 都可作为高效能、稳定性的电子元件，为各类型电路设计提供有力支持。