SI2323DDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23
包装 :
编带
重量 :
0.054g
描述 :
场效应管(MOSFET) 960mW；1.7W 20V 5.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
3621(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.67按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.67
--
100+
￥1.33
--
750+
￥1.2
--
1500+
￥1.13
--
3000+
￥1.07
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2323DDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 39mΩ @ 4.1A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.7W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 4.1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2323DDS-T1-GE3手册
SI2323DDS-T1-GE3概述
SI2323DDS-T1-GE3 产品概述
1. 产品简介
SI2323DDS-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)公司生产的 P 通道场效应晶体管 (MOSFET)，它广泛应用于高效电源管理、开关控制和负载驱动等电子电路中。这款器件采用了先进的金属氧化物半导体技术，使其具备优越的导电性能和良好的热稳定性，能够有效满足现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。
2. 关键参数
SI2323DDS-T1-GE3 的核心性能表现在以下几个方面：
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 20V，适合低压应用电路，有助于降低功率损耗。
- 连续漏极电流: 在 25°C 时，有效的连续漏极电流为 5.3A (Tc)，在一定程度上保证了器件在负载下的稳定运行。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA，显示该器件具有较低的门极开启电压，适合阈值驱动场合。
- 导通电阻 (Rds(on)): 39mΩ @ 4.1A 和 4.5V 的导通电阻进一步降低了能量损耗，使其在高负载条件下仍能保持高效能。
- 功率耗散: 最大功率耗散为 1.7W (Tc)，在保证器件长期稳定运行的同时，也满足了有限空间内的热设计要求。
- 工作温度范围: SI2323DDS-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，意味着它在极端环境下依然保持良好的性能和可靠性。
3. 封装与安装
该器件采用 SOT-23 封装，尺寸小巧，便于表面贴装，有利于在狭小的电路板空间中实现高效布局。SOT-23 封装类型不仅为器件提供了良好的散热能力，还简化了自动化安装流程，从而提高生产效率。
4. 应用领域
由于其综合性能，SI2323DDS-T1-GE3 特别适用于以下几个领域：
- 电源管理: 该器件可以有效地用于 DC-DC 转换器、开关电源、以及电池管理系统等场合。
- 电机控制: 可作为电机驱动开关元件，帮助实现电机控制中的高效切换。
- 负载开关: 在需要高效控制负载的电子设备中，SI2323DDS-T1-GE3 扮演重要角色。
- 数据通信: 在高速数据传输系统中，MOSFET 可用于信号的快速开关。
5. 竞争优势
SI2323DDS-T1-GE3 作为一款双极性材料的 MOSFET，使其在导通和关断状态下均能显示出极低的功耗与优异的线路阻抗。此外，其宽广的工作温度范围和高功率耗散能力保证了其在各种恶劣条件下的稳定性，降低了设计的复杂性及维护成本。
6. 总结
总的来说，SI2323DDS-T1-GE3 是一款具有高性能和高可靠性的 P 通道 MOSFET，具备多种适应性和广泛的应用场景，适合不同的电子设计需求。其在功率管理、开关控制等领域中的应用，体现了现代电子元器件向小型化、集成化和高效能发展的趋势。选择 SI2323DDS-T1-GE3，可以为电子产品的高性能和高可靠性提供强有力的保障。