SI2319CDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；1.25W 40V 4.4A 1个P沟道 SOT-23-3(TO-236-3)
库存 :
4066(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.49按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.49
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100+
￥1.2
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750+
￥1.07
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1500+
￥1.01
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3000+
￥0.961
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2319CDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 77mΩ @ 3.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 77 毫欧 @ 3.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 595pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2319CDS-T1-GE3手册
SI2319CDS-T1-GE3概述
产品概述：SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET
一、简介
SI2319CDS-T1-GE3是由知名品牌VISHAY（威世）生产的一款P沟道场效应晶体管（MOSFET），它在电子应用中广泛用于开关和线性放大等场合。该器件具有低导通电阻、高电流传输能力和优异的热性能，使其成为电子设计工程师在高效能电路设计中的理想选择。
二、基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源电压达到40V，可以在相对较高的电压条件下稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，SI2319CDS-T1-GE3的连续漏极电流为4.4A（在Tc状态下更高），表明其能够承载较大的电流负载。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅源极阈值电压为2.5V（在250µA条件下测得），意味着它能够在较低的栅电压下被激活，从而降低了控制电路的驱动电压要求。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在3.1A和10V的条件下，漏源导通电阻为77mΩ，低导通电阻确保了在通电状态下的能量损耗最小化，提高了整体电路的效率。
三、功率与热特性
- 功率耗散: SI2319CDS-T1-GE3的最大功率耗散为2.5W（在Tc状态），和1.25W（在Ta状态），在设计电路时需注意确保散热良好，以防器件过热。
- 工作温度: 穿过-55°C至150°C的广泛工作温度区间，SI2319CDS-T1-GE3适合在严酷环境下使用，特别适用于高温和低温的应用场景。
四、电气特性
- 驱动电压: 本器件最大驱动电压为±20V，不同的Vgs和Id都会影响导通电阻，且在4.5V至10V的驱动电压下均能表现出优良的特性。
- 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为21nC @ 10V，说明其在开启和关闭的迅速切换性能良好，适合高频率应用。
五、封装与安装
- 封装类型: SI2319CDS-T1-GE3采用SOT-23-3（TO-236-3）封装，这种小型表面贴装封装不仅减少了电路板的空间占用，还方便在现代电子设备中的集成与复杂布局。
- 安装方式: 采用表面贴装技术（SMT），使得生产自动化成为可能，极大提高了产品的一致性和可重复性。
六、应用领域
由于其优异的性能，SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET适用于如下应用：
- 开关电源
- 电机驱动
- 线性调节器
- LED驱动电源
- 安全和保护电路
七、总结
SI2319CDS-T1-GE3是一款高效、稳定且温度适应能力强的P沟道MOSFET，适用于各种电子设备。凭借其低导通电阻和出色的散热性能，使得其在如开关电源、电机驱动及其他高电流应用中，成为理想的选择。同时，其小巧的封装和广泛的工作温度范围，使得它非常适合现代高密度电子应用的需求。在选择MOSFET时，SI2319CDS-T1-GE3凭借其全面的规格和性能参数，必定能为设计工程师提供强有力的支持。