SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.6A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 345mΩ @ 1.25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 345 毫欧 @ 1.25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.1nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 210pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2309CDS-T1-GE3手册
SI2309CDS-T1-GE3概述
SI2309CDS-T1-GE3 产品概述
基本信息
SI2309CDS-T1-GE3是由VISHAY（威世）公司生产的一款高性能P沟道MOSFET，封装类型为SOT-23-3（TO-236-3），该器件专为低电压、低功耗应用而设计，广泛应用于电源管理、开关控制以及信号调节等领域。
主要特性
漏源电压（Vdss）与连续漏极电流（Id）: SI2309CDS-T1-GE3的漏源电压可达60V，适合用于高压应用场景。其在25°C时的连续漏极电流为1.6A，确保在普通工作条件下具备良好的导电能力，满足大部分电子设计的需求。
导通电阻与功率耗散: 漏源导通电阻（Rds(on)）为345mΩ，测试条件为1.25A和10V，这表明该MOSFET在导通状态下能够有效降低能量损耗，提升电路效率。此外，器件的最大功率耗散为1W（TA=25°C），在温度较高的条件下也可以承受高达1.7W的功率，通过适当的散热设计可实现更高的功率处理能力。
栅源极阈值电压与驱动电压: SI2309CDS-T1-GE3的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为3V，这是在250µA的电流条件下测得的，表明其对驱动电压的要求相对较低。这使得它能够与多种逻辑电平兼容，改善与微控制器、FPGA等数字电路的接口。此外，该MOSFET在最小Rds(on)条件下，仅需4.5V和10V的驱动电压，不同的驱动电压使其在应用时灵活性更高，并能够适应不同电压规格。
栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）: 该器件在4.5V的栅驱条件下，栅极电荷达到最大4.1nC。较小的Qg值有助于降低开关损耗，提高开关频率响应，适合高频应用。此外，在30V下，输入电容Ciss最大为210pF，进一步提高了设备的开关性能和频率响应。
工作温度和可靠性: SI2309CDS-T1-GE3的工作温度范围为−55°C至150°C，适用于严苛的工作环境。这种广泛的温度条件使得该器件非常适合汽车、工业和消费电子等领域要求严格的应用，确保在高温和低温条件下的稳定性与可靠性。
封装与安装
SI2309CDS-T1-GE3采用SOT-23-3（TO-236）表面贴装型封装，体积小巧，易于自动化生产线的安装该封装形式有助于减少PCB的占用面积，从而更好地适应空间受限的设计需求。
应用领域
SI2309CDS-T1-GE3广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 适合用于电源开关、线性调节器及DC-DC转换器等电源管理组件。
- 信号开关: 常用于信号开关电路，例如音频开关，视频开关等。
- 负载开关: 可作为负载开关，控制电机、照明及其他负载的通断。
- 汽车电子: 由于其优良的热管理特性和抗干扰能力适合用于汽车电子控制。
- 工业控制: 在工业自动化设备中用于开关控制以及信号处理。
总结
SI2309CDS-T1-GE3作为一款高效、低功耗的P沟道MOSFET，以其出色的性能和广泛的应用场景，成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。其高达60V的漏源电压、良好的导通电阻和优秀的工作温度范围，确保了它在各类应用中的可靠性与效率，非常适合在复杂且要求严格的电子系统中使用。