SI2301BDS-T1-GE3
SI2301BDS-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 375pF @ 6V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
SI2301BDS-T1-GE3手册
SI2301BDS-T1-GE3概述
产品概述：SI2301BDS-T1-GE3
SI2301BDS-T1-GE3是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低压电源和负载开关应用而设计。该器件的封装采用SOT-23-3（TO-236），适合表面贴装技术（SMT），使其在紧凑型电子电路中具备优秀的适用性。由著名品牌VISHAY（威世）制造，SI2301BDS-T1-GE3在其规格和性能上满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
关键参数与性能
导通电阻（Rds(on)）：SI2301BDS-T1-GE3在特定条件下具有极低的导通电阻，最大值仅为100毫欧，在2.8A和4.5V的工作条件下测量，这使得在电源管理和负载切换时可以有效降低功耗，提高整体电能效率。
电流承载能力：该MOSFET的连续漏极电流（Id）最大为2.2A（在25°C环境条件下），综合考虑散热能力后，可广泛用于低功率驱动和信号开关等应用场景。
驱动电压和阈值电压（Vgs(th)）：该器件的阈值电压最大为950mV（在250µA下），并且可以在2.5V至4.5V的Vgs条件下有效工作。这使得SI2301BDS-T1-GE3在低电压应用中展现出优越的性能，适用于便携式电源和其他对功率消耗敏感的设备。
漏源电压（Vdss）：SI2301BDS-T1-GE3的漏源电压最大可以达到20V，这使它能够有效应对多种开关电源和负载驱动应用下的电压要求。
工作温度范围：该MOSFET可以在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，确保其在高温或极端环境下的可靠性和长期耐用性。这一特性特别适合汽车、工业控制以及环境恶劣的使用条件。
栅极电荷（Qg）：在4.5V的条件下，SI2301BDS-T1-GE3的栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，表现出较高的开关效率，这对于高频开关电源和快速开关电路而言至关重要。
输入电容（Ciss）：在最大漏源电压（6V）下，输入电容为375pF，使得MOSFET在较低电压下也能保持良好的响应特性。
应用领域
SI2301BDS-T1-GE3的设计特点使其尤其适合以下应用：
电池供电设备：其低导通电阻和高效能使得SI2301BDS-T1-GE3成为便携设备和移动终端的理想选择，能够有效延长电池寿命。
开关电源：该MOSFET能在小型开关电源，以及高效能DC-DC转换器中用于作为开关元件，有助于提升整体转换效率。
负载控制：由于其能够承受高达2.2A的连续电流，SI2301BDS-T1-GE3适用于LED驱动、马达控制和其他负载驱动场合。
定时器、传感器和信号处理电路：该器件的高频性能与低功耗特性使其特别适合用于定时电路与传感器接口。
总结
SI2301BDS-T1-GE3作为一款高性能P沟道MOSFET，其优越的工作参数和广泛的应用前景使其在现代电子设计中扮演着重要角色。凭借其出色的电气性能、可靠的温度特性以及紧凑的封装设计，SI2301BDS-T1-GE3无疑是各种电子产品中的优选元器件。无论是开发新产品还是对现有设计进行改进，SI2301BDS-T1-GE3都能够助力工程师实现更高的效率和可靠性。