SI1926DL-T1-E3

产品概述：SI1926DL-T1-E3

1. 产品简介

SI1926DL-T1-E3 是一款由VISHAY（威世）生产的高性能双N沟道MOSFET，采用紧凑型SC-70-6 (SOT-363)封装，专为低功耗、高效率的电源管理和开关应用设计。该产品能够在宽广的工作温度范围内稳定运行，适合各种高效能电子设备，如计算机、嵌入式系统和智能手机等。

2. 关键参数

• 封装类型：SC-70-6（SOT-363），表面贴装(SMT)设计，可以方便地集成到现代PCB中，节省空间并提升设计灵活性。
• FET类型：双N沟道，具备两路独立的开关功能，使得在需要多导通路径的应用中，能够有效减少器件数量，降低系统复杂性。
• 漏源极电压（Vdss）：最大60V，适合高压应用，满足了大多数消费电子设备中的电池管理、马达驱动等场合的需要。
• 连续漏极电流 (Id)：370mA @ 25°C，能够在额定条件下为负载提供稳定的电流。
• 导通电阻 (Rds(on))：最大1.4Ω在10V时的340mA，低导通电阻意味着更低的功率损耗，提高了系统效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大2.5V @ 250µA，满足1.8V或3.3V逻辑电平的栅极驱动要求，能够快速响应开关需求。
• 输入电容 (Ciss)：最大18.5pF @ 30V，较小的输入电容确保了快速开关速度，适合高频应用。
• 栅极电荷 (Qg)：最大1.4nC @ 10V，低栅极电荷意味着更低的驱动功耗，有助于提升整体电路的效率。

3. 应用领域

SI1926DL-T1-E3的特点使其适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 电源管理：在各种电源电路中，作为开关管使用，以有效控制电流和电压。
• 马达驱动：能够高效控制直流电机的启停和调速，提升设备的操控性和动力输出。
• 可编程逻辑控制：在嵌入式设备中作为逻辑开关，执行各种控制任务。
• LED驱动电路：改善LED照明系统的电流效率，为各种照明设备提供卓越的性能。

4. 环境和可靠性

该MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C，极端的耐温性能使其在恶劣环境中仍能稳定工作。同时，器件的最大功率限值为510mW，能够有效应对长时间的高负荷工作，为产品的长期稳定性提供保障。

5. 总结

SI1926DL-T1-E3作为一款高质量的N沟道MOSFET，凭借其出色的电气特性、紧凑的封装和广泛的应用范围，特别适合现代电子设备中的各种电源管理和开关应用。无论是在小型化设计还是高效能运行中，均能为电子工程师提供可靠的解决方案，满足不断增长的市场需求。通过选用此器件，可以有效提升产品性能、降低系统能耗，优化终端用户体验。