SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3 产品概述

1. 产品简介

SI1024X-T1-GE3 是一款高性能双 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件供应商 VISHAY（威世）公司生产。该器件特别设计用于逻辑电平开关应用，具有优异的电气特性和广泛的应用领域，适用于各种电子设备和电源管理系统。

2. 主要规格

• 漏源电压 (Vdss): 20V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C: 485mA
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 900mV @ 250µA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 700mΩ @ 600mA, 4.5V
• 最大功率耗散: 250mW (在 Ta=25°C 条件下)
• 栅极电荷 (Qg): 0.75nC @ 4.5V
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: SOT-563 (SC-89-6)

3. 电气特性

SI1024X-T1-GE3 在逻辑电平操作下展现出极低的导通电阻，使其在开关过程中能有效降低功耗，提升系统的整体能效。其最大漏极电流为 485mA，适合中低功率应用。同时，栅源极阈值电压为 900mV，使其可以在较低的驱动电压下稳定工作，适应现代数字电路的需求。

4. 散热性能

该MOSFET 元件的最大功率耗散为 250mW，适合各种温度环境下的应用。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其在极端条件下依然能够可靠工作，适合用于汽车、工业控制等领域。

5. 封装与安装

SI1024X-T1-GE3 采用了 SOT-563 封装，具有紧凑的体积及较低的插入高度，非常适合于需要表面贴装技术（SMD）的设计。这种封装形式不仅提高了电路板的空间利用率，还简化了自动化组装工艺。

6. 应用领域

凭借其较高的电流承载能力和低导通电阻，SI1024X-T1-GE3 非常适合用于以下应用：

• 开关电源
• 微控制器和DSP接口
• 电池供电应用
• 电机驱动
• 电子开关
• 液晶显示屏（LCD）驱动

7. 总结

SI1024X-T1-GE3 作为一款高性能的双 N 沟道MOSFET，结合了卓越的电气性能和广泛的适用性，能够满足多种场合的需求。VISHAY 作为行业内的领导者，其产品质量和可靠性在业界享有盛誉。选择 SI1024X-T1-GE3，能够为设计师提供便利，确保电子产品在功能性与效率间实现最优的平衡。无论是消费类电子、工控还是汽车电子，SI1024X-T1-GE3 都将为您的设计提供卓越的支持。