SBR2U30P1-7
SBR2U30P1-7参数
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | 平均整流电流（Io） | 2A |
| 正向压降（Vf） | 400mV @ 2A | 二极管类型 | 超级势垒 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 2A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 400mV @ 2A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 400µA @ 30V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | POWERDI®123 | 供应商器件封装 | PowerDI™ 123 |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
SBR2U30P1-7手册
SBR2U30P1-7概述
产品概述：SBR2U30P1-7 超势垒整流器
一、引言
SBR2U30P1-7 是由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）出品的一款高效能超势垒整流器（SBR）。该器件采用先进的 PowerDI®123 封装技术，具有良好的热管理能力和电气特性，广泛应用于快充电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效率整流的场合。
二、产品特点
高效整流性能
SBR2U30P1-7 提供了优异的逆向耐压性能，最大直流反向耐压（Vr）可达 30V，适用于大多数低至中电压应用。其在 2A 的平均整流电流（Io）下，仅需 400mV 的正向压降（Vf），使其在大电流条件下依然保持较高的转换效率。极速反应速度
本器件的恢复速度超过 500ns，适用于高频开关电源中，能够有效减少开关损耗，提升系统整体性能。小反向泄漏电流
SBR2U30P1-7 在 30V 的条件下，反向泄漏电流仅为 400µA，这在负载变化或者温度升高的情况下能保持较低的功耗，增强了设备的可靠性和性能稳定性。优良的工作温度范围
该器件支持-65°C 至 150°C 的宽广工作温度范围，适用于严苛环境下的各种电子设备，包括航空航天、工业设备等。便于表面贴装
采用 PowerDI™ 123 封装，其表面贴装设计大幅度降低了元件的安装难度，能够有效节约电路板空间。
三、应用场景
SBR2U30P1-7 的设计特别适合于以下领域：
- 开关电源：其高整流效率和低正向压降使其可以在高效能开关电源中应用，如电视、充电器和电源适配器中。
- 电机驱动：在电机驱动和控制电路中使用，可以减少功耗和发热，提高系统的可靠性。
- DC-DC 转换器：在 DC-DC 转换器中作为整流二极管，提供高效能转换，适合桌面和移动设备的应用。
- 电池管理系统（BMS）：SBR2U30P1-7 可用作电池管理系统中的关键组件，进一步增强电池充电和放电过程中的能量转换效率。
四、选择理由
选择 SBR2U30P1-7 超势垒整流器，有助于工程师们在追求高效能的电子设计时获得更好的灵活性与性能。其高反向耐压、低正向压降、低反向泄漏电流及广泛的工作温度范围，使其成为众多应用的理想选择。此外，DIODES 品牌的可靠性和技术支持也为使用者提供了更加安心的保障。
五、总结
随着电子设备对能量效率与性能的要求日益增强，SBR2U30P1-7 以其超势垒特性、高性能参数受到广泛关注。无论是研发新产品还是改善现有设计，SBR2U30P1-7 都能为电子工程师提供不可或缺的支持与性能保证。通过该整流器的应用，可以有效提升系统的整体效率，降低能耗，实现绿色环保目标。