存储器构架(格式) | FLASH | 存储器接口类型 | Parallel |
存储器容量 | 8Gb (1G x 8) | 工作电压 | 2.7V ~ 3.6V |
存储器类型 | Non-Volatile | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | 闪存 - NAND | 存储容量 | 8Gb (1G x 8) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 25ns |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 48-TSOP I |
S34ML08G201TFI000是赛普拉斯(Cypress)公司推出的一款高性能闪存NAND存储器,具备8Gb(1G x 8)容量,广泛应用于各种嵌入式系统和消费电子产品中。该闪存器件采用并联接口格式,以高效的数据传输速度与出色的存储性能,满足现代电子设备对于数据存储的需求。
存储器类型:该产品为非易失性存储器,意味着即使在断电情况下,存储在其中的数据也会被保留。这种特性使得S34ML08G201TFI000特别适合用于需要长期数据保存的应用,如固态硬盘(SSD)、消费电子产品、物联网设备等。
存储器容量:8Gb的存储容量(即1G x 8)为设备提供了丰富的存储空间,能够存储大量数据,并支持较大的文件存储和读取操作。
工作电压:该存储器的工作电压范围为2.7V至3.6V,适用广泛的电源管理方案,能够兼容多种电子系统的供电需求。低电压操作也有助于降低设备的整体功耗,提升能效。
工作温度:S34ML08G201TFI000可以在-40°C至85°C的温度范围内稳定工作,使其非常适合于恶劣环境下的工业应用和汽车电子等需要高可靠性的场合。
写周期时间:器件的写周期时间为25ns,确保了快速的数据写入速度。这种快速反应能力对于需要频繁读写数据的应用场合尤为重要,如实时数据处理和高速缓存。
封装和安装类型:S34ML08G201TFI000采用48-TSOP I表面贴装型封装,相对较小的占用空间使得其可以被广泛应用于小型化的电子设备,有利于设计紧凑的电路板布局。
该闪存NAND存储器适合多个领域的应用,包括但不限于:
消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居设备等,这些设备需要快速、稳定的存储解决方案,以处理大容量媒体文件或应用程序。
计算机系统:作为固态硬盘(SSD)或嵌入式存储器的重要组成,S34ML08G201TFI000为操作系统和应用程序提供快速的读写能力。
汽车电子:在车载信息娱乐系统、导航设备和先进驾驶辅助系统(ADAS)中,需使用高可靠性的存储器,以确保数据在各种工作条件下的稳妥存储。
物联网设备:在传感器、智能仪表和联网设备中,低功耗与非易失性特性使其成为理想的存储解决方案,支持设备在长时间运行中保持数据的安全性。
S34ML08G201TFI000闪存NAND存储器凭借其出色的存储容量、稳定的工作性能以及宽泛的工作温度范围,满足了当今快速发展的电子产品的需求。赛普拉斯凭借其先进的存储技术与卓越的产品品质,使这一产品在众多应用领域内展现出极高的竞争力,成为设计工程师们所青睐的存储解决方案之一。无论是在需求复杂的工业设计,还是在消费者主流电子产品中,S34ML08G201TFI000均展现出强大的应用潜力和市场价值。