S1GHE3_A/I
S1GHE3_A/I参数
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA | 反向耐压VR（最大值） | 400V |
| 平均整流电流IF | 1A | 正向压降VF | 1.1V@1A |
| 反向漏电流IR | 1µA@400V | 反向恢复时间（trr） | 1.8µs |
| 速度 | 标准恢复>500ns，>200mA（Io） | 二极管类型 | 标准 |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 400V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 1A | 反向恢复时间 (trr) | 1.8µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 400V | 不同 Vr、F 时电容 | 12pF @ 4V，1MHz |
| 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
S1GHE3_A/I手册
S1GHE3_A/I概述
产品概述：S1GHE3_A/I
S1GHE3_A/I是一款高性能的表面贴装二极管，由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）制造，专为工业和消费电子应用设计。该二极管采用DO-214AC（SMA）封装，适合自动化贴片生产，体现了现代电子元件在可靠性和性能上的高标准。
关键规格
封装/外壳：采用DO-214AC（SMA）封装，此封装类型不仅提供了良好的散热性能，而且适合自动化的 SMT（表面贴装技术）生产流程，极大地提高了生产效率。
反向耐压（最大值）：该二极管具有高达400V的反向耐压（VR），适用于高压电路设计，为电源和其他高电压应用提供了出色的保护能力。
平均整流电流（IF）：其典型的平均整流电流为1A，适用于多种负载条件，可以在较高的电流条件下稳定操作。
正向压降（VF）：在额定工作条件下（1A），正向压降为1.1V，确保了二极管在正常工作时的高效能，最大限度降低了能量损耗。
反向漏电流（IR）：在400V的反向电压下，反向漏电流仅为1µA，这使得S1GHE3_A/I在待机或关断状态下实现了极低的待机功耗。
反向恢复时间（trr）：其反向恢复时间为1.8µs，适用于快速开关应用，如开关电源和逆变器，这一点尤为重要，能够有效提高电路的效率并减小电磁干扰。
速度： 标准恢复特性确保了其在>500ns和>200mA（Io）条件下的快速转变速度，使其适用于高频率应用场景。
工作温度范围：该二极管的结温可在-55°C到150°C的宽广范围内稳定工作，适合于极端环境，确保产品在不同温度下的可靠性。
电气特性：在1MHz频率下的电容值为12pF @ 4V，使得该元件在高速开关应用中的表现更加优异，降低了系统的总体复杂性。
应用场景
S1GHE3_A/I二极管的特点使其广泛适用于以下多种应用场景：
开关电源：其高效的整流特性和快速恢复性能使其成为开关电源中的理想选择。
电机驱动器：无论是直流电机还是步进电机，S1GHE3_A/I都能为高电流驱动提供可靠保护。
逆变器：在光伏发电或其他可再生能源应用中，S1GHE3_A/I能提供高效的整流解决方案，确保能量转换的高效性。
通用整流：适合于通过整流电路的通用应用，能够处理多种电源输入，提供可靠的电源稳定性。
结论
总之，S1GHE3_A/I作为一款出色的标准二极管，以其高耐压、低正向压降、极低的漏电流及快速的反向恢复时间，满足了多种工业与消费电子应用的需求。VISHAY（威世）通过不断的技术创新与高品质的产品标准，为客户提供了值得信赖的解决方案，为各个领域的电子产品性能提升奠定了坚实的基础。无论是在电力电子、工业控制还是通讯设备领域，S1GHE3_A/I都能发挥出色的性能，为客户提供优越的价值。