S1DB-13-F
S1DB-13-F参数
| 直流反向耐压（Vr） | 200V | 平均整流电流（Io） | 1A |
| 正向压降（Vf） | 1.1V @ 1A | 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 1A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 3µs | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 200V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB | 供应商器件封装 | SMB |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
S1DB-13-F手册
S1DB-13-F概述
产品概述：S1DB-13-F 二极管
一、产品简介
S1DB-13-F是一款高性能的标准二极管，广泛应用于多种电子设备和电路，为其提供可靠的整流功能。该元件由知名品牌DIODES（美台）制造，拥有优良的电气性能和宽广的应用范围。它的设计使其能够在各种苛刻的环境下稳定工作，特别适合用于电源管理、整流电路、反向保护和电压钳位等场合。
二、主要参数
- 直流反向耐压（Vr）: 200V
- 平均整流电流（Io）: 1A
- 正向压降（Vf）: 1.1V @ 1A
- 反向恢复时间 (trr): 3µs
- 反向泄漏电流: 5µA @ 200V
- 工作温度范围: -65°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 封装类型: DO-214AA (SMB)
三、性能特点
高耐压: S1DB-13-F的直流反向耐压达到200V，使得其在高压环境下的应用非常可靠。这一点尤其适合在电源模块和变换电路中使用，能够有效防止电压冲击带来的损伤。
低正向压降: 配置了1.1V的正向压降，S1DB-13-F在大电流（1A）的情况下表现出的低损耗特性，使其在整流过程中具有较高的效率。这对于高效能电子设备是一个重要优势。
极低的反向泄漏电流: S1DB-13-F的反向泄漏电流仅为5µA @ 200V，能够在大多数应用中确保极低的能量损耗，并提供更高的整体电路可靠性。
快速恢复特性: 在标准恢复速度下，S1DB-13-F的反向恢复时间为3µs，适合快速切换的应用环境，如开关电源和高频电路，能够有效控制反向恢复损耗。
强大的工作温度范围: 该二极管可在-65°C至150°C的广泛温度范围内工作，使其适合于各种极端环境下的应用。
四、应用领域
S1DB-13-F适用于多种电子控制和电源应用，包括但不限于：
- 办公设备电源系统
- 电动工具
- 太阳能逆变器
- 交流/直流转换器
- 电压钳位电路
- 整流器设计
- LED驱动电路
- 保护电路
五、封装及安装
S1DB-13-F采用DO-214AA（SMB）封装，表面贴装设计使其易于在现代电路板上实施，符合自动化生产流程的要求。该封装形式不仅降低了空间要求，还有助于提高整体设计的可靠性和稳定性，适应了当今市场对紧凑型设计的需求。
六、总结
S1DB-13-F作为一款高品质的标准二极管，凭借其出色的电气性能和优良的工作特性，为电子设计工程师提供了一个理想的整流解决方案。无论是在高压高效的电源系统中，还是在对功耗有严格要求的电路中，它都能表现出色，确保电子设备的安全与可靠运行。选择S1DB-13-F，您将获得来自DIODES（美台）品牌的优质保证与技术支持，使得项目开发更加顺畅高效。