反向恢复时间(trr) | 150ns | 直流反向耐压(Vr) | 100V |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 1.3V @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 150ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 100V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
产品概述:RS1B-13-F 快恢复高效率二极管
引言 随着现代电子技术的迅速发展,快速恢复二极管在电力电子、通信、自动化及其他高效能应用中扮演着越来越重要的角色。RS1B-13-F是一款由DIODES(美台)公司出品的标准快恢复二极管,具有150ns的反向恢复时间和100V的直流反向耐压,特别适合在要求较高效率与快速切换性能的应用中使用。以下将从设计特性、应用场景、性能规格等方面对RS1B-13-F进行详细介绍。
主要特性
应用场景 RS1B-13-F被广泛应用于:
性能规格 RS1B-13-F的详细规格如下:
结论 RS1B-13-F是一款性能卓越、应用广泛的快恢复二极管。它以高效率、快速响应和低功耗的特点,满足现代电子设备对性能的苛刻要求。无论是在家电、工业自动化还是在通信领域,这种二极管都表现出出色的可靠性与稳定性。DIODES(美台)的RS1B-13-F是您高效电路设计中不可或缺的理想选择。