RHP020N06T100
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
MPT3(SOT-89)
包装 :
编带
重量 :
0.132g
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 60V 2A 1个N沟道 SOT-89-3
库存 :
6131(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.22按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.22
--
50+
￥0.936
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
RHP020N06T100参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 200mΩ @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | MPT3 | 封装/外壳 | TO-243AA |
RHP020N06T100手册
RHP020N06T100概述
RHP020N06T100 产品概述
产品简介
RHP020N06T100 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 通道 MOSFET，专为高效能和高密度应用而设计。其主要特点包括工作漏源电压最高可达 60V、连续漏极电流可达 2A，有效满足了许多低功耗、高效率电路的需求。这款 MOSFET 以其低导通电阻和高开关速度而受到广泛应用，适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及各类功率管理电路。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 最高可达 60V，适用于多种应用场合。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 温度下可承受 2A 的电流，适应中等功率的控制需求。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ 1mA，确保 MOSFET 在相对较低的控制电压下工作。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 200 mΩ @ 2A、10V，降低了功耗和发热，提高了工作效率。
- 最大功率耗散: 在 25°C 时达到 500mW，适用于小型化电路设计。
- 工作温度范围: 可承受长期工作温度高达 150°C，保证其在严苛环境下的稳定性。
- 驱动电压: 最大 Rds On 的驱动电压范围为 4V 至 10V，方便适配不同的控制电路。
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 14nC @ 10V，具有较快的开关性能，有助于提高开关频率。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 140pF @ 10V，降低栅极驱动器功耗。
封装与适用领域
RHP020N06T100 的封装类型为 MPT3（SOT-89），这使得它极易于表面贴装，适合各种电路板布局。此外，其 TO-243AA 封装外壳设计有助于改善散热性能。这款 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 作为开关元件，提高电源转换效率。
- DC-DC 转换器: 实现高效电压升降转换，广泛应用于便携设备和嵌入式系统中。
- 电池管理系统: 在电池充放电过程中提供高效控制。
- 电动驱动系统: 用于电动车或电动工具的驱动控制。
- LED 驱动电路: 提供高效驱动及调光能力。
应用优势
RHP020N06T100 由于其出色的参数配置，能够有效降低系统的功耗，提高能量利用率。同时，其宽广的工作温度范围和卓越的耐压能力，使其在多种环境条件下保持稳定运行。此外，较低的导通电阻和较快的切换速度，有助于提升电路的整体性能，降低因发热所导致的能耗和损耗。
总结
ROHM 公司的 RHP020N06T100 N 通道 MOSFET 是一款非常可靠的高性能器件，具备了在现代电子应用中所需的关键特性。凭借其优异的导通特性、低功耗和高温稳定性，RHP020N06T100 是满足高效能设计需求的理想选择，适用于各类功率管理和电源控制应用。无论是在开关电源、DC-DC 转换器或是电池驱动电路中，它都能够提供卓越的性能，成为电子设计师的得力助手。